CoolSiC™ Automotive 1700V MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1700V MOSFETs enable flyback topologies for auxiliary power supplies and DC-DC converters. These devices have continuous DC drain current (IDDC) for Rth(j-c,max) between 7.4A and 15A at 25°C and between 5.6A and 10.5A at 100°C. The Infineon Technologies SiC Trench MOSFET technology offers 0V/20V gate-source voltage driving, compatible with most flyback controllers for automotive applications.

Rezultatai: 3
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
Duomenų Lapas
105Prieinamumas
500Pagal užsakymą
Pjaunama Juosta
6,54 €
3,52 €
3,23 €
3,09 €
Ritė
2,63 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
SMD/SMT PG-TO263-7-U01 1 Channel 1.7 kV 15 A 340 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
2 000Pagal užsakymą
Pjaunama Juosta
5,08 €
2,67 €
2,43 €
2,21 €
Ritė
1,89 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
SMD/SMT PG-TO263-7-U01 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 752 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 14 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
Duomenų Lapas
750Pagal užsakymą
Pjaunama Juosta
6,10 €
3,34 €
3,05 €
2,86 €
Ritė
2,29 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
SMD/SMT PG-TO263-7-U01 1 Channel 1.7 kV 11.2 A 485 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 17.5 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement