Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

Tranzistorių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 101
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS Gaminio tipas Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TSM MOQ=3000 PD=1W F=1MHZ 3 894Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors SMD/SMT 2-3S1C-3 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI MOQ=1000 V=50 PD=1W F=1MHZ 417Prieinamumas
2 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-62-3 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR; PW-MOLD; MOQ=2000; PC=1W; F=100KHZ 855Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-10-26
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT 2-7J1A-3 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT TRANS-SS PNP 3SMD 50V 2 847Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT TRANS-SS PNP 3SMD 20V 354Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-10-09
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor for Low Freq. Amplification 12 998Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor for Low Freq. Amplification 29 179Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=80MHz 2 490Prieinamumas
21 000Tikėtina 2026-08-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT TRANS-SS NPN SOT323 120V 10 513Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz 986Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor for Low Freq. Amplification 5 767Prieinamumas
27 000Tikėtina 2026-10-23
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-75-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT TRANS-SS NPN 3SMD 50V 3 411Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz 8 894Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 PNP

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 1 844Prieinamumas
6 000Tikėtina 2027-01-29
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN, PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package 12 973Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 3 557Prieinamumas
6 000Tikėtina 2026-09-11
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6 7 572Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-26-6 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=20V, IC=0.3A, hFE=350 to 1200 in SOT-26 (SM6) package 2 902Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Dual Trans PNP x 2 US6, -50V, -0.15A 481Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 PNP

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT BJT NPN 0.15A 50V 6 885Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor for Low Freq. Amplification 6 853Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor for Low Freq. Amplification 7 303Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT BJT PNP -18A 180W 80 HFE -2V Trans 261Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole 2-21F1A-3 PNP

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP -80V 10W 100MHz 200 hFE 2 040Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP -2.5A 1.5W 280 HFE -0.5V Trans 5 181Prieinamumas
20 750Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-126N-3 PNP