eMode GaN lauko tranzistorius (FET)

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.

Rezultatai: 18
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode
Nexperia GaN FET GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1 908Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE140-700BBA/SOT428/DPAK 2 404Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE190-700BBA/SOT428/DPAK 2 416Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060 1 945Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE350-700BBA/SOT428/DPAK 2 354Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia GaN FET GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1 921Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia GaN FET GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2 155Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FET GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8 830Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia GaN FET GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA 2 622Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANE240-700BBA/SOT428/DPAK 2 488Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement
Nexperia GaN FET GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 83Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FET GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 531Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FET GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
250Tikėtina 2026-10-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

Nexperia GaN FET GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
250Tikėtina 2026-10-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

Nexperia GaN FET GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
249Tikėtina 2026-10-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

Nexperia GaN FET GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
250Tikėtina 2026-10-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

Nexperia GaN FET GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT
250Tikėtina 2026-10-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

Nexperia GaN FET GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3
250Tikėtina 2026-10-19
Min.: 1
Daugkart.: 1