650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The onsemi TOLL package offers improved thermal performance and excellent switching performance thanks to Kelvin Source configuration and lower parasitic source inductance. TOLL offers Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1).

Rezultatai: 6
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
Duomenų Lapas
420Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 44

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
Duomenų Lapas
377Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 42

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
Duomenų Lapas
439Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 44

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
Duomenų Lapas
450Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 45

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL
Duomenų Lapas
1 983Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT SO-8 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 170 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL
Duomenų Lapas
1 970Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT SO-8 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 170 C 139 W Enhancement EliteSiC