MIL Qualified Resistors

Vishay / Dale MIL Qualified Resistors are MIL-PRF-83401 qualified and designed to meet the changing demands of defense, avionics, and aerospace applications. Vishay / Dale MIL Qualified Resistors are high-reliability products used in a variety of demanding environments, including on aircraft, satellites, ground vehicles, and ships. The resistors/resistor networks provide a wide range of power ratings from 0.325W to 1.8W and a wide resistance range of 10Ω to 1MΩ. The resistors are constructed using thick-film resistive elements and operate over a -55°C to +125°C temperature range.

Rezultatai: 5 071
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Pakavimas
Serija
Gaminys
Terminacijos Stilius
Rezistorių Vertės
tolerancija
Circuit Type
Rezistorių skaičius
Kaiščių skaičius
Temperatūros Koeficientas
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakuotė / Korpusas
Ilgis
Plotis
Aukštis
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-01 10 1% K M8340102K10R0FB D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Bussed 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-03 10 2% K M8340102K10R0GA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-03 110 2% K M8340102K1100GA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-01 110 2% K M8340102K1100GB D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Bussed 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-03 1.1K 2% K M8340102K1101GA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-03 11K 1% K M8340102K1102FA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-01 11K 1% K M8340102K1102FB D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Bussed 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-03 11K 2% K M8340102K1102GA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-01 11K 2% K M8340102K1102GB D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Bussed 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-03 110K 1% K M8340102K1103FA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-03 11.3K 1% K M8340102K1132FA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-03 115K 1% K M8340102K1153FA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-03 11 2% K M8340102K11R0GA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-03 120 2% K M8340102K1200GA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-03 120 5% K M8340102K1200JA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 10 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-03 1.2K 2% K M8340102K1201GA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-01 1.2K 2% K M8340102K1201GB D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Bussed 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-01 1.2K 5% K M8340102K1201JB D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 10 % Bussed 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-03 12K 2% K M8340102K1202GA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-01 12K 5% K M8340102K1202JB D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 10 % Bussed 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-01 120K 2% K M8340102K1203GB D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Bussed 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-03 121 1% K M8340102K1210FA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-01 121 1% K M8340102K1210FB D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Bussed 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-03 1.21K 1% K M8340102K1211FA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM16-03 121K 1% K M8340102K1213FA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Isolated 100 PPM / C