MIL Qualified Resistors

Vishay / Dale MIL Qualified Resistors are MIL-PRF-83401 qualified and designed to meet the changing demands of defense, avionics, and aerospace applications. Vishay / Dale MIL Qualified Resistors are high-reliability products used in a variety of demanding environments, including on aircraft, satellites, ground vehicles, and ships. The resistors/resistor networks provide a wide range of power ratings from 0.325W to 1.8W and a wide resistance range of 10Ω to 1MΩ. The resistors are constructed using thick-film resistive elements and operate over a -55°C to +125°C temperature range.

Rezultatai: 5 071
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Pakavimas
Serija
Gaminys
Terminacijos Stilius
Rezistorių Vertės
tolerancija
Circuit Type
Rezistorių skaičius
Kaiščių skaičius
Temperatūros Koeficientas
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakuotė / Korpusas
Ilgis
Plotis
Aukštis
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-03 845 1% K M8340101K8450FA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-03 887 1% K M8340101K8870FA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-01 887 1% K M8340101K8870FB D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Bussed 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-03 9.09K 1% K M8340101K9091FA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-01 9.09K 1% K M8340101K9091FB D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Bussed 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-03 910 2% K M8340101K9100GA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Isolated 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-01 910 5% K M8340101K9100JB D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 10 % Bussed 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-01 9.1K 2% K M8340101K9101GB D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Bussed 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-05-1800/3900F 1% K M8340101KA006FJ
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Dual Terminator 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-05-221/331G 2% K M8340101KA008GJ D
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Dual Terminator 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-05-221/331J 5% K M8340101KA008JJ D
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 5 % Dual Terminator 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-05-3300/3900F 1% K M8340101KA009FJ
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Dual Terminator 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-05-331/391G 2% K M8340101KA009GJ D
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Dual Terminator 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-05-331/471G 2% K M8340101KA010GJ D
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Dual Terminator 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-05-331/681G 2% K M8340101KA011GJ D
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Dual Terminator 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-05-152/332G 2% K M8340101KA012GJ D
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Dual Terminator 100 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-03 100 1% M M8340101M1000FA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Isolated 300 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-03 100 2% M M8340101M1000GA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Isolated 300 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-01 100 2% M M8340101M1000GB D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Bussed 300 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-03 100 5% M M8340101M1000JA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 5 % Isolated 300 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-01 100 5% M M8340101M1000JB D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 5 % Bussed 300 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-03 1K 1% M M8340101M1001FA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 1 % Isolated 300 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-03 1K 2% M M8340101M1001GA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Isolated 300 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-01 1K 2% M M8340101M1001GB D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 2 % Bussed 300 PPM / C
Vishay Rezistorių Tinklai ir Matricos MDM14-03 1K 5% M M8340101M1001JA D04
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 100
Daugkart.: 25
MDM (Military M83401) 5 % Isolated 300 PPM / C