CGHV96100F2

MACOM
941-CGHV96100F2
CGHV96100F2

Gam.:

Aprašymas:
GaN FET GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie MACOM CGHV96100F2
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.

Prieinamumas

Turime sandėlyje:

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
MACOM
Gaminio kategorija: GaN FET
Siuntimo apribojimai:
 Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
RoHS:  
Screw Mount
440210
N-Channel
100 V
12 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
Prekės Ženklas: MACOM
Configuration: Single
Kūrimo priemonių rinkinys: CGHV96100F2-TB
Gain: 12.4 dB
Didžiausias darbinis dažnis: 9.6 GHz
Minimalus darbinis dažnis: 7.9 GHz
Išvesties Galia: 131 W
Pakavimas: Tray
Gaminys: GaN HEMTs
Gaminio tipas: GaN FETs
Gamyklinės pakuotės kiekis: 10
Subkategorija: Transistors
Technologijos: GaN
Tranzistoriaus tipas: GaN HEMT
Vgs - užtūros-šaltinio pramušimo įtampa: - 10 V to 2 V
Vieneto Svoris: 65,235 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
3A001.b.3.b.2
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Jungtinės Valstijos
Šalis, kurioje pagaminta:
Ne
Distribucijos šalis:
Ne
Šalis gali keistis siuntimo metu.

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

CGHV96100F2 GaN HEMT

MACOM CGHV96100F2 Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on silicon carbide (SiC) substrate is an internally matched (IM) FET that offers excellent power-added efficiency compared to other technologies. GaN provides superior properties to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, saturated electron drift velocity, and thermal conductivity. These CGHV96100F2 GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths than GaAs transistors. This MACOM IM FET is available in a metal/ceramic flanged package for optimal electrical and thermal performance.

X-Band GaN HEMTs & MMICs

MACOM X-Band Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) and Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) come with various solution platforms. That includes MMICs, internally matched GaN on SiC transistors (IM-FETs), and transistors. These multi-stage MMICs offer a variety of power levels, high gain, and high efficiency, while IM-FETs feature 50Ω building blocks in support of higher power systems. The transistors offer highly accurate modeling support that provides maximum flexibility to optimize amplifier design. The GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.