„Incoterms“:DDP Visos kainos nurodytos su pasirinktų siuntimo metodų muito mokesčiais.
Patvirtinkite pasirinktą valiutą:
Eurai Nemokamas siuntimas daugumai užsakymų, kurių vertė viršija 75 € (EUR).
JAV doleriai Nemokamas siuntimas daugumai užsakymų, kurių vertė viršija $90 (USD).
Vaizdai skirti tik iliustracijai Žr. produkto specifikacijas
Bendrinti Šį
Šiuo metu nuorodos sukurti nepavyko. Pabandykite dar kartą.
DRV8300/DRV8300-Q1 3-Phase Gate Drivers
Texas Instruments DRV8300/DRV8300-Q1 3-Phase Gate Drivers provide three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300D/DRV8300D-Q1 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. The DRV8300N generates the correct gate drive voltages using an external bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Texas Instruments DRV8300/DRV8300-Q1 gate drive architecture supports peak up to 750mA source and 1.5A sink currents.