1200V PIM IGBT Modules

Infineon 1200V PIM IGBT Modules offer TRENCHSTOP™ IGBT7 and EC7 diode technology based on the latest micro-pattern trenches technology. This technology strongly reduces losses and provides a high level of controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas compared to the formerly used square trench cells. The chip is specially optimized for industrial drive applications and solar energy systems, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operating temperature up to 175°C in the Infineon 1200V PIM IGBT Modules.

Rezultatai: 25
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakavimas
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 25 A PIM three phase input rectifier IGBT module
Duomenų Lapas
17Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 25 A 100 nA 160 W - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 75 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai LOW POWER ECONO
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 25 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 50 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 50 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
19Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 25 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 75 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7B11BPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 100 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP25R12W2T7BPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 25 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 150 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai LOW POWER ECONO
Duomenų Lapas
3Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 35 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
3Prieinamumas
30Tikėtina 2026-07-31
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP35R12W2T7BPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 35 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
14Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7PB11BPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai EASY
Duomenų Lapas
14Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7PBPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 15 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
20Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP75R12N2T4BPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 75 A PIM three phase input rectifier IGBT module
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 75 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T7PB11BPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai EASY
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7BOMA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 15 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
24Tikėtina 2026-07-28
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai LOW POWER ECONO
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai LOW POWER ECONO
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 200 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 50 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 150 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T7BOMA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai EASY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP200R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 200 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 200 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray