650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs are ultra-fast diodes that extend the voltage class offering of the CFD7 family. The power MOSFETs have an additional 50V breakdown voltage, integrated fast body diode, improved switching performance, and excellent thermal behavior. These CFD7 power MOSFETs offer the highest efficiency in resonant switching topologies, such as LLC and phase-shift-full-bridge (ZVS). The MOSFETs blend all the advantages of a fast-switching technology with superior hard computation robustness. These power MOSFETs support CoolMOS™ CFD7 technology that meets reliability standards and supports high power density solutions.

Rezultatai: 14
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
879Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
268Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
136Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
Duomenų Lapas
675Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
Duomenų Lapas
675Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
1 118Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 15 A 155 mOhms 20 V 4.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
1 155Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 700 V 50 A 41 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
181Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
71Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
198Prieinamumas
480Tikėtina 2026-10-12
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
40Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 106 A 18 mOhms 20 V 4.5 V 234 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 19 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Tube