OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V Automotive MOSFETs are designed for high-performance applications and feature an extended qualification that goes beyond AEC-Q101 standards. The N-channel enhancement mode device combines a robust design with advanced technology, integrating Linear FET (LINFET) and low RDS(on) FET (ONFET) characteristics into a single package. This dual-gate configuration provides dedicated gate pins for each MOSFET, enhancing flexibility and control in circuit design. The Linear FET boasts an improved Safe Operating Area (SOA) and superior paralleling capabilities, ensuring reliable linear operation under varying conditions. The Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V MOSFETs operate within a wide -55°C to +175°C temperature range and are available in a PG-HSOF-8-2 package. 

Rezultatai: 60
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Kvalifikacija Prekinis pavadinimas Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
3 641Tikėtina 2026-09-10
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 187 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V( Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V( Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
: 5 000

Si Reel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V( Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V( Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
: 5 000

Si Reel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V( Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V( Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 131 nC - 55 C + 175 C 307 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V( Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V( Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 32 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 18 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 5.4 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V( Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 32 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si Reel, Cut Tape