Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NTBG028N170M1

Name: onsemi NTBG028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG028N170M1
Price: 34.54 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NTBG028N170M1

Mfr. #:

NTBG028N170M1

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

SiC MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L

Duomenų Lapas:

NTBG028N170M1 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NTBG028N170M1

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	D2PAK-7
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.7 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	71 A
RDS On - Drain-Source Varža:	40 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.3 V
Qg – vartų krūvis:	222 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	428 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	EliteSiC
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Single
Rudens laikas:	13 ns
Tiesioginis laidumas - min:	27 S
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	18 ns
Serija:	NTBG028N170M1
Gamyklinės pakuotės kiekis:	800
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	121 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	47 ns

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NTBG028N170M1 Duomenų Lapas

Material Composition Disclosure

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Pietų Korėja
Šalis, kurioje pagaminta:: Kinija
Distribucijos šalis:: Pietų Korėja

Šalis gali keistis siuntimo metu.

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

NTBG028N170M1 1700V silicio karbido (SIC) MOSFET

Onsemi NTBG028N170M1 1700V silicio karbido (SIC) MOSFET yra optimizuoti greitam perjungimui. onsemi MOSFET turi Planar technologiją, kuri patikimai veikia esant neigiamai užtūros įtampai ir išjungia šuolius ant užtūros. Ši šeima pasižymi optimaliomis eksploatacinėmis savybėmis, kai yra valdoma su 20 V vartų valdikliu, tačiau taip pat gerai veikia ir su 18 V vartų valdikliu.

ATRINKTI PRODUKTAI

ONSEMI

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

Sužinokite Daugiau

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

Delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance.

Sužinokite Daugiau

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

Sužinokite Daugiau

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

Sužinokite Daugiau

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

Sužinokite Daugiau

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: 0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 539

Tikėtina 2026-11-06

5 600

2 400

Tikėtina 2027-01-05

2 400

Tikėtina 2027-01-18

800

Tikėtina 2027-05-10
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 30

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1 Maks. 280

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	34,54 €	34,54 €
	28,05 €	280,50 €
	26,87 €	2 687,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 800)
	26,87 €	21 496,00 €

NTBG028N170M1

Gam.: onsemi

Aprašymas: SiC MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L

Specifikacijos

Dokumentai (1)

Duomenų Lapas

Aplinkosaugos dokumentai

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

M1 EliteSiC MOSFETs

NTBG028N170M1 1700V silicio karbido (SIC) MOSFET

Klientai taip pat pirko

ATRINKTI PRODUKTAI ONSEMI

Prieinamumas

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

SiC MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L

ATRINKTI PRODUKTAI

ONSEMI