{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija} – Mouser Lietuva

Pereiti prie Pagrindinio Turinio

TTI specialistų komandos dalis Susisiekite su „Mouser“ +370 64003780Susisiekite su mumis

Pakeisti vietovę

+370 64003780 Pakeisti vietovę

Yra sandėlyje

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

π-MOS IX Planar Power MOSFETs

Toshiba π-MOS IX Planar Power MOSFETs offer high-efficiency and low noise in a compact TO-220SIS package. π-MOS IX MOSFETs provide optimal performance due to the double-diffused process design adjustment. With an optimized chip design, the π-MOS IX components provide 5dB lower peak EMI noise than the previous π-MOS VII series, while maintaining the same efficiency level. These N-channel power MOSFETs offer high design flexibility, reducing workloads. In addition, the π-MOS IX series provides the same rated avalanche current and rated drain current (DC), making it simple to replace existing MOSFETs.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 8

Taikyti filtrai:

Pakuotė / Korpusas

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Minimali darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Pasirinkite	Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	RoHS	ECAD modelis	Technologijos	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Tranzistoriaus poliškumas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Prekinis pavadinimas	Pakavimas
	MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK2K2A60F,S4X Toshiba 1: 1,24 € 340Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TK2K2A60F,S4X „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK2K2A60FS4X	Toshiba	MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS Sužinokite Daugiau apie Toshiba pi mos ix mosfet	Duomenų Lapas	340Prieinamumas	1,24 € 0,574 € 0,507 € 0,34 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	3.5 A	2.2 Ohms	30 V	4 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MOSIX	Tube
	MOSFETs TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK1K7A60F,S4X Toshiba 1: 1,38 € 347Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TK1K7A60F,S4X „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK1K7A60FS4X	Toshiba	MOSFETs TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS Sužinokite Daugiau apie Toshiba pi mos ix mosfet	Duomenų Lapas	347Prieinamumas	1,38 € 0,642 € 0,569 € 0,393 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	4 A	1.7 Ohms	30 V	4 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MOSIX	Tube
	MOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A TK1K2A60F,S4X Toshiba 1: 1,22 € 223Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TK1K2A60F,S4X „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK1K2A60FS4X	Toshiba	MOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A Sužinokite Daugiau apie Toshiba pi mos ix mosfet	Duomenų Lapas	223Prieinamumas	1,22 € 0,572 € 0,571 € 0,396 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Si	Through Hole	TO-220SIS-3	N-Channel	1 Channel	600 V	6 A	1.2 Ohms	30 V	2 V	21 nC		+ 150 C	35 W	Enhancement	MOSIX	Tube
	MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK4K1A60F,S4X Toshiba 1: 0,946 € 223Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TK4K1A60F,S4X „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK4K1A60FS4X	Toshiba	MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS Sužinokite Daugiau apie Toshiba pi mos ix mosfet	Duomenų Lapas	223Prieinamumas	0,946 € 0,437 € 0,436 € 0,301 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	2 A	4.1 Ohms	30 V	4 V	8 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MOSIX	Tube
	MOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A TK650A60F,S4X Toshiba 1: 1,47 € 211Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TK650A60F,S4X „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK650A60FS4X	Toshiba	MOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A Sužinokite Daugiau apie Toshiba pi mos ix mosfet	Duomenų Lapas	211Prieinamumas	1,47 € 0,699 € 0,698 € 0,489 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Si	Through Hole	TO-220SIS-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	650 mOhms	30 V	2 V	34 nC		+ 150 C	45 W	Enhancement	MOSIX	Tube
	MOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A TK750A60F,S4X Toshiba 1: 1,57 € 483Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TK750A60F,S4X „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK750A60FS4X	Toshiba	MOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A Sužinokite Daugiau apie Toshiba pi mos ix mosfet	Duomenų Lapas	483Prieinamumas	1,57 € 0,746 € 0,665 € 0,548 € Peržiūrėti 0,514 € 0,507 € 0,501 € 0,481 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	750 mOhms	30 V	2 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	MOSIX	Tube
	MOSFETs TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK1K0A60F,S4X Toshiba 1: 1,73 € 190Tikėtina 2026-12-25	Gam. dalies Nr. TK1K0A60F,S4X „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK1K0A60FS4X	Toshiba	MOSFETs TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS Sužinokite Daugiau apie Toshiba pi mos ix mosfet	Duomenų Lapas	190Tikėtina 2026-12-25	1,73 € 0,83 € 0,738 € 0,587 € Peržiūrėti 0,55 € 0,527 € 0,517 € 0,488 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	7.5 A	1 Ohms	30 V	4 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	MOSIX	Tube
	MOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A TK1K9A60F,S4X Toshiba 1: 1,20 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 16 Savaičių	Gam. dalies Nr. TK1K9A60F,S4X „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK1K9A60FS4X	Toshiba	MOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A Sužinokite Daugiau apie Toshiba pi mos ix mosfet	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 16 Savaičių	1,20 € 0,557 € 0,462 € 0,375 € Peržiūrėti 0,348 € 0,334 € 0,318 € 0,314 € 0,31 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	3.7 A	1.9 Ohms	30 V	2 V	14 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MOSIX	Tube