π-MOS IX Planar Power MOSFETs

Toshiba π-MOS IX Planar Power MOSFETs offer high-efficiency and low noise in a compact TO-220SIS package. π-MOS IX MOSFETs provide optimal performance due to the double-diffused process design adjustment. With an optimized chip design, the π-MOS IX components provide 5dB lower peak EMI noise than the previous π-MOS VII series, while maintaining the same efficiency level. These N-channel power MOSFETs offer high design flexibility, reducing workloads. In addition, the π-MOS IX series provides the same rated avalanche current and rated drain current (DC), making it simple to replace existing MOSFETs.

Rezultatai: 8
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Toshiba MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
340Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.5 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFETs TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
309Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.5 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A
Duomenų Lapas
923Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 30 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A
Duomenų Lapas
226Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 21 nC + 150 C 35 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
233Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A
Duomenų Lapas
275Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 650 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 34 nC + 150 C 45 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFETs TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
347Tikėtina 2026-07-31
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 17 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube