Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NTBL023N065M3S

Name: onsemi NTBL023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL023N065M3S
Price: 10.54 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NTBL023N065M3S

Mfr. #:

NTBL023N065M3S

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

SiC MOSFET SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

NTBL023N065M3S Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NTBL023N065M3S

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	H-PSOF-8
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	77 A
RDS On - Drain-Source Varža:	32.6 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 22.6 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4 V
Qg – vartų krūvis:	69 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	312 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Single
Rudens laikas:	9.6 ns
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pin Skaičiuokite:	8
Gaminys:	SiC MOSFETS
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	15 ns
Serija:	NTBL023N065M3S
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	35 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	11 ns
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NTBL023N065M3S Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Filipinai
Šalis, kurioje pagaminta:: Filipinai
Distribucijos šalis:: Pietų Korėja

Šalis gali keistis siuntimo metu.

NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed for demanding power applications. The onsemi NTBL023N065M3S MOSFETs feature a typical R_DS(on) of 23mΩ at V_GS = 18V, ultra-low gate charge (Q_G(tot) = 69nC), and high-speed switching with low capacitance (C_oss = 152pF). Fully tested for avalanche performance, the MOSFETs are halide-free, RoHS-compliant with Exemption 7a, and Pb-free at the second-level interconnection. Ideal for applications like Switching Mode Power Supplies (SMPS), solar inverters, Uninterruptable Power Supplies (UPS), energy storage systems, and infrastructure, these SiC MOSFETs provide robust performance for modern power management needs.

ATRINKTI PRODUKTAI

ONSEMI

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

Sužinokite Daugiau

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

Delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance.

Sužinokite Daugiau

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

Sužinokite Daugiau

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

Sužinokite Daugiau

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

Sužinokite Daugiau

Prieinamumas: 1 698

Turime sandėlyje:: 1 698 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 52 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	10,54 €	10,54 €
	6,77 €	67,70 €
	5,74 €	574,00 €
	5,43 €	2 715,00 €
	5,06 €	5 060,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2000)
	5,05 €	10 100,00 €
10 000	Pasiūlymas

NTBL023N065M3S

Bendrinti Šį

Gam.: onsemi

Aprašymas: SiC MOSFET SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

Specifikacijos

Dokumentai (3)

Duomenų Lapas

PCN

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Klientai taip pat pirko

ATRINKTI PRODUKTAI ONSEMI

Prieinamumas: 1 698

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

SiC MOSFET SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

ATRINKTI PRODUKTAI

ONSEMI