QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors are 220W discrete GaN-on-SiC HEMTs that operate from 1.2GHz to 1.4GHz, providing typically 53.5dBm of saturated output power with 17dB of large-signal gain and 70% drain efficiency.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius svar. – nuolatinio išleidimo srovė Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Didžiausias darbinis dažnis Minimalus darbinis dažnis Technologijos
Qorvo GaN FET 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
10Tikėtina 2026-11-26
558,84 €
483,62 €
464,81 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC
Qorvo GaN FET 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
10Tikėtina 2026-11-26
558,84 €
483,62 €
464,81 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC