{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 2

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Tranzistoriaus poliškumas

Kanalų skaičius

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Minimali darbinė temperatūra

Didžiausia darbinė temperatūra

Kanalas Mode

Prekinis pavadinimas

Technologijos

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Pasirinkite	Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	RoHS	ECAD modelis	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Tranzistoriaus poliškumas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Kanalas Mode	Prekinis pavadinimas	Technologijos
	GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN EPC2367 EPC 1: 6,62 € 16 137Prieinamumas 6 000Tikėtina 2026-11-04 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. EPC2367 „Mouser“ Dalies Nr. 65-EPC2367 Naujas Produktas	EPC	GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN Sužinokite Daugiau apie EPC 2367 egan fets	Duomenų Lapas	16 137Prieinamumas 6 000Tikėtina 2026-11-04	Pjaunama Juosta 6,62 € 3,60 € 3,30 € 3,14 € 2,80 € Ritė 2,52 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 3 000			SMD/SMT	QFN-5	N-Channel	1 Channel	100 V	101 A	1.2 mOhms	- 4 V, 6 V	2.5 V	17 nC	- 40 C	+ 150 C	Enhancement	eGaN FET	GaN
	GaN FET 100 V enhancement-mode GaN power transistor, 101 A, 1.2 mOhm typ RDS(on), optimized for high-density DC-DC converters and motor drives. EPC EPC2367A EPC2367A EPC 1: 6,08 € Ne Sandėlyje Esantys "Mouser Naujiena"	Gam. dalies Nr. EPC2367A „Mouser“ Dalies Nr. 65-EPC2367A "Mouser Naujiena"	EPC	GaN FET 100 V enhancement-mode GaN power transistor, 101 A, 1.2 mOhm typ RDS(on), optimized for high-density DC-DC converters and motor drives. Sužinokite Daugiau apie EPC 2367 egan fets	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esantys	6,08 € 4,07 € 3,27 € 2,91 € 2,34 €	Min.: 1 Daugkart.: 1

Taikyti filtrai:

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba

Bendrinti Šį

Taikyti filtrai: