MA4E2040 GaAs Beam Lead Schottky Diode

MACOM MA4E2040 GaAs Beam Lead Schottky Diode is fabricated on OMCDVD epitaxial wafers. These diode wafers use a process designed for high device uniformity and low parasitics. The MA4E2040 diodes feature low series resistance, low capacitance, and high cut-off frequency. The high cut-off frequency allows the use through millimeter wave frequencies. This Schottky diode operates at -65ºC to 125ºC operating temperature. Typical applications include single band, double band balanced mixers and automotive radar systems, and police radar detectors.

Rezultatų Nerasta.
Pabandykite pakeisti toliau pateiktą paieškos žodį arba apsilankykite mūsų Pagalbos Centre.

Ieškoti Pasiūlymų

  • Patikrinkite dalies numerio arba raktažodžių rašybą
  • Naudokite mažiau arba kitokius raktažodžius
  • Ieškoti pagal 1 dalies numerį vienu metu
  • Vienu metu taikykite 1 filtrą