Rezultatai: 549
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Pakuotė / Korpusas
Montavimo stilius
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Didžiausia vartų emiterio įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
IXYS IGBT G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
Duomenų Lapas
290Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 40 A 180 W - 55 C + 150 C IXGA20N120 Tube
IXYS IGBT 48 Amps 600V
Duomenų Lapas
254Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT Single 600 V 1.35 V - 20 V, 20 V 120 A 300 W - 55 C + 150 C IXGA48N60 Tube

IXYS IGBT 48 Amps 1200V
Duomenų Lapas
22Prieinamumas
300Tikėtina 2026-10-28
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 4.2 V - 20 V, 20 V 48 A 250 W - 55 C + 150 C IXGH24N120 Tube

IXYS IGBT 50 Amps 1700V 3.3 V Rds
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
300Tikėtina 2027-04-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 50 A 250 W - 55 C + 150 C IXGH24N170 Tube

IXYS IGBT 75 Amps 600V 1.05 V Rds
Duomenų Lapas
107Prieinamumas
300Tikėtina 2026-08-26
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.35 V - 20 V, 20 V 120 A 300 W - 55 C + 150 C IXGH48N60 Tube

IXYS IGBT 12 Amps 1700 V 4 V Rds
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
300Tikėtina 2026-09-02
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 4 V - 20 V, 20 V 12 A 75 W - 55 C + 150 C IXGH6N170 Tube
IXYS IGBT GenX3 1200V IGBT
Duomenų Lapas
290Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-220AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V 20 V 22 A 100 W - 55 C + 150 C IXGP12N120 Tube

IXYS IGBT TO247 600V 150A XPT
Duomenų Lapas
26Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 300 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Planar Tube

IXYS IGBT TO247 600V 30A XPT
Duomenų Lapas
146Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Single - 20 V, 20 V Planar Tube
IXYS IGBT 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
Duomenų Lapas
203Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 70 A 230 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS IGBT XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
Duomenų Lapas
100Prieinamumas
300Tikėtina 2027-01-04
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole Single 600 V 1.85 V - 20 V, 20 V 160 A 750 W - 55 C + 175 C IXXH75N60 Tube
IXYS IGBT TO263 1200V 20A XPT
Duomenų Lapas
136Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 76 A 375 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT TO247 1700V 10A IGBT
Duomenų Lapas
192Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 4.1 V - 20 V, 20 V 36 A 280 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO247 1700V 16A IGBT
Duomenų Lapas
8Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 40 A 310 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
Duomenų Lapas
181Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 36 A 230 W - 55 C + 150 C IXYH20N120 Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 40A GENX3
Duomenų Lapas
162Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single Planar Tube
IXYS IGBT XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
300Tikėtina 2026-11-06
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 340 A 1.36 kW - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 5 Tube

IXYS IGBT 650V/166A XPT Copacked SOT-227B
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
660Tikėtina 2027-11-01
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 160 A 600 W - 55 C + 175 C IXYN100N65 Tube
IXYS IGBT 650V/130A XPT C3-Class TO-220
Duomenų Lapas
32Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 132 A 600 W - 55 C + 175 C IXYP50N65 Tube
IXYS IGBT XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
Duomenų Lapas
126Prieinamumas
300Tikėtina 2027-01-20
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT 900V 8A 2.5V XPT IGBT GenX3
Duomenų Lapas
409Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 900 V 3 V - 20 V, 20 V 20 A 125 W - 55 C + 175 C Planar Tube

IXYS IGBT IGBT, Diode 1200V, 75A
Duomenų Lapas
56Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 75 A 380 W - 55 C + 150 C IXGH40N120 Tube
IXYS IGBT 20 Amps 1700 V 4 V Rds
Duomenų Lapas
18Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 20 A 110 W - 55 C + 150 C IXGT10N170 Tube
IXYS IGBT GenX3 1200V IGBT
Duomenų Lapas
3 300Tikėtina 2027-03-29
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 3.05 V - 20 V, 20 V 60 A 300 W - 55 C + 150 C IXGA30N120 Tube
IXYS IGBT TO264 2500V 75A IGBT
Duomenų Lapas
275Tikėtina 2026-12-21
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-264 Through Hole Single 2.5 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 170 A 780 W - 55 C + 150 C Tube