Silicio karbido SCHOTTKY diodai

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.

Rezultatai: 45
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Configuration
Jei – tiesioginė srovė
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa
Vf - tiesioginė įtampa
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė
IR - Atvirkštinė Srovė
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Vr - atvirkštinė įtampa
Serija
Pakavimas
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SiCG4D2PAK2L
Duomenų Lapas
760Tikėtina 2027-02-19
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2202L
Duomenų Lapas
925Tikėtina 2027-03-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2202L
Duomenų Lapas
1 000Tikėtina 2027-03-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2473L
Duomenų Lapas
475Tikėtina 2027-03-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2473L
Duomenų Lapas
490Tikėtina 2027-03-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2472L
Duomenų Lapas
475Tikėtina 2026-11-06
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2472L
Duomenų Lapas
500Tikėtina 2026-11-06
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SiCG4D2PAK2L
Duomenų Lapas
794Tikėtina 2026-11-06
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30ET12S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SiCG4D2PAK2L
Duomenų Lapas
800Tikėtina 2026-11-06
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30ET12S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2202L
Duomenų Lapas
1 000Tikėtina 2026-11-06
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30ET12T-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2202L
Duomenų Lapas
1 000Tikėtina 2026-11-06
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C30ET12THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SiCG4D2PAK2L
Duomenų Lapas
735Tikėtina 2026-10-02
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 650 V 4C08ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SiCG4D2PAK2L
Duomenų Lapas
800Tikėtina 2026-11-06
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 650 V 4C08ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2202L
Duomenų Lapas
925Tikėtina 2026-11-06
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C08ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2202L
Duomenų Lapas
1 000Tikėtina 2026-11-06
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C08ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2472L
Duomenų Lapas
500Tikėtina 2027-03-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C10EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SiCG4D2PAK2L
Duomenų Lapas
800Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C 650 V VS-4C12ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2472L
Duomenų Lapas
500Tikėtina 2027-02-15
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16EP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SicG4TO-2472L
Duomenų Lapas
500Tikėtina 2027-03-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16EP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC SCHOTTKY diodai SiCG4D2PAK2L
Duomenų Lapas
780Tikėtina 2027-03-19
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C16ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape