CoolGaN™ 600V GIT HEMTs

Infineon Technologies CoolGaN™ 600V Gate Injection Technology (GIT) High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) offer fast turn-on and turn-off speeds at minimum switching losses. These GaN enhancement-mode power transistors are available in a ThinPAK 5x6 surface-mount package, ideal for applications that require a compact device without a heatsink. The small 5mm x 6mm2 footprint and low 1mm profile height makes the Infineon Technologies CoolGaN™ 600V GIT HEMTs perfect for achieving high power density.

Rezultatai: 3
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Technologijos
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
4 511Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
4 825Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
Duomenų Lapas
4 709Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement GaN