5 G RF JFET ir LDMOS FET

MACOM 5G RF sandūros lauko tranzistoriai (JFET) ir horizontaliai išsklaidyti metalo oksido puslaidininkiai (LDMOS) FET yra termiškai patobulinti didelės galios tranzistoriai, skirti naujos kartos belaidžiam perdavimui. Šie prietaisai turi GaN ant SiC didelio elektronų judrumo tranzistoriaus (HEMT) technologiją, įvesties suderinamumą, veikia efektyviai ir termiškai pagerinta paviršinio montavimo pakuotę su junge be auselių. MACOM 5G RF JFET ir LDMOS FET puikiai tinka įvairių standartų mobiliojo ryšio galios stiprintuvams. 

Puslaidininkių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 6
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
MACOM GaN FET 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 53Prieinamumas
Pjaunama Juosta
176,79 €
150,37 €
149,20 €
Ritė
149,20 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 50
MACOM GaN FET 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 17Prieinamumas
Pjaunama Juosta
121,01 €
102,39 €
Ritė
97,54 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 50
MACOM GaN FET 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
MACOM GaN FET 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
MACOM GaN FET 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
MACOM RD MOSFET tranzistoriai 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz 90Prieinamumas
Pjaunama Juosta
101,46 €
84,82 €
82,32 €
Ritė
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250