Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NVHL015N065SC1

Name: onsemi NVHL015N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL015N065SC1
Price: 33.45 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NVHL015N065SC1

Mfr. #:

NVHL015N065SC1

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

Duomenų Lapas:

NVHL015N065SC1 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NVHL015N065SC1

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-3
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	163 A
RDS On - Drain-Source Varža:	12 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.3 V
Qg – vartų krūvis:	283 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	643 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	EliteSiC
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Single
Rudens laikas:	11 ns
Tiesioginis laidumas - min:	44 S
Pakavimas:	Tube
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	77 ns
Serija:	NVHL015N065SC1
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	47 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	25 ns
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NVHL015N065SC1 Duomenų Lapas

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:: Kinija
Distribucijos šalis:: Pietų Korėja

Šalis gali keistis siuntimo metu.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NVHL015N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NVHL015N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET employs new technology that provides superior switching performance and high reliability. This SiC MOSFET features n-channel, high efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The NVHL015N065SC1 MOSFET offers low ON resistance and compact chip size, which ensures low capacitance and gate charge. This EliteSiC MOSFET is 100% UIL tested and AEC−Q101 qualified. The NVHL015N065SC1 MOSFET features 650V drain−to−source voltage and 12mohm resistance. Typical applications include automotive traction inverters, DC/DC converters for EV/HEV, and onboard chargers.

ATRINKTI PRODUKTAI

ONSEMI

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

Sužinokite Daugiau

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

Delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance.

Sužinokite Daugiau

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

Sužinokite Daugiau

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

Sužinokite Daugiau

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

Sužinokite Daugiau

Prieinamumas: 390

Turime sandėlyje:: 390 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 43 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	33,45 €	33,45 €
	24,11 €	241,10 €
	23,96 €	2 875,20 €

NVHL015N065SC1

Gam.: onsemi

Aprašymas: SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

Specifikacijos

Dokumentai (2)

Duomenų Lapas

PCN

Aplinkosaugos dokumentai

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

M2 EliteSiC MOSFETs

NVHL015N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Klientai taip pat pirko

ATRINKTI PRODUKTAI ONSEMI

Prieinamumas: 390

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

ATRINKTI PRODUKTAI

ONSEMI