Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Rezultatai: 271
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V 1 739Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V 375Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS 2 425Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V 1 789Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 3K 378Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 2K 789Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V 141Prieinamumas
15 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 070
: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs 30V, SO-8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 36Prieinamumas
2 500Tikėtina 2027-08-02
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V 64Prieinamumas
5 000Tikėtina 2027-02-17
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 1 230Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 104Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 2 156Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V 111Prieinamumas
2 500Tikėtina 2027-10-20
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500


Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V 534Prieinamumas
5 000Tikėtina 2027-01-15
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 330
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF 435Prieinamumas
10 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 2.6W 57A 904Prieinamumas
12 500Tikėtina 2027-03-19
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 170
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V 1 693Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500


Diodes Incorporated MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs 1 990Prieinamumas
2 500Tikėtina 2026-12-07
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC 1 732Prieinamumas
4 000Tikėtina 2027-02-19
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A 1 655Prieinamumas
5 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500


Diodes Incorporated MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A 134Prieinamumas
20 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 750
: 2 500


Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V 54Prieinamumas
2 500Tikėtina 2027-12-03
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V 353Prieinamumas
20 000Tikėtina 2027-08-13
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10 000
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V 32Prieinamumas
6 000Tikėtina 2026-10-19
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V 9Prieinamumas
5 000Tikėtina 2026-08-14
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500