Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Rezultatai: 271
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Diodes Incorporated DMT3020LFCL-7
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V 2 515Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 2 370Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500



Diodes Incorporated Gate Tvarkyklės HV Gate Driver 3 654Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 310
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V 7 545Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 590
: 2 500
Diodes Incorporated MOSFETs 100V N-Ch Enh FET Low Rdson 4 571Prieinamumas
7 500Tikėtina 2027-01-15
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W 2 710Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W 3 721Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V 2 393Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W 4 179Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 120
: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W 2 394Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 120
: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs 60V N-Ch Enh FET Low Rdson 4 506Prieinamumas
4 000Tikėtina 2027-02-19
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000


Diodes Incorporated MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A 6 550Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K 32 899Prieinamumas
15 000Tikėtina 2027-11-26
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 2 500
: 2 500


Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V 17 506Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V 10 311Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V 4 614Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500
Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A 5 913Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V 40V U-DFN2020-6 T&R 10K 9 700Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 340
: 10 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V 7 620Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 600
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V 7 694Prieinamumas
10 000Tikėtina 2026-10-21
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 2 500
: 2 500
Diodes Incorporated Linijiniai įtampos reguliatoriai 100V INPUT 5V 50mA 10 to 100V 7 603Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 350
: 2 500

Diodes Incorporated Linijiniai įtampos reguliatoriai 100V Input 12V 60mA 3V 0.05A 45dB 0.24mA 13 665Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 830
: 2 500

Diodes Incorporated Linijiniai įtampos reguliatoriai 100V Input 12V 40mA 3V 0.04A 45dB 0.24mA 6 267Prieinamumas
20 000Tikėtina 2026-10-21
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 2 120
: 5 000

Diodes Incorporated Linijiniai įtampos reguliatoriai 100V Input 12V 3mA 3V 0.03A 45dB 0.24mA 12 886Prieinamumas
17 000Tikėtina 2026-11-04
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000
: 1 000

Diodes Incorporated MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A 88Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1