TRENCHSTOP™ 5 S5 Medium Speed Switching IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5 Medium Speed Switching IGBTs are the link between the L5 and H5 and address applications switching between 10kHz and 40kHz. The IGBTs deliver high efficiency, faster time to market cycles, circuit design complexity reduction, and PCB bill of material cost optimization. Infineon S5 IGBTs are packed with features to help designers achieve goals without the need to increase circuit complexity.

Rezultatai: 17
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Pakuotė / Korpusas
Montavimo stilius
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Didžiausia vartų emiterio įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas

Infineon Technologies IGBT Trenchstop 5 IGBT
Duomenų Lapas
795Prieinamumas
6 720Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Duomenų Lapas
550Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Duomenų Lapas
709Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Duomenų Lapas
376Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
Duomenų Lapas
1 089Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 270 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Duomenų Lapas
234Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Duomenų Lapas
1 303Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape

Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Duomenų Lapas
275Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Duomenų Lapas
319Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Duomenų Lapas
343Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Duomenų Lapas
81Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 62 A 188 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT Trenchstop 5 IGBT
Duomenų Lapas
960Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 62 A 188 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT Trenchstop 5 IGBT
Duomenų Lapas
239Tikėtina 2026-10-22
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT Trenchstop 5 IGBT
Duomenų Lapas
240Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 9 Savaičių
Min.: 240
Daugkart.: 240

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 H5 Tube