{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FETs

„Qorvo“ UF4C/SC 1 200 V Gen 4 SiC FET yra didelio našumo serija, pasižyminti geriausiais šioje pramonės šakoje naudingumo koeficientais. UF4C/SC 1 200 V Gen 4 SiC FET idealiai tinka pagrindinėms 800 V magistralės architektūroms, naudojamoms elektromobilių įkrovikliuose, pramoniniuose akumuliatorių įkrovikliuose, pramoniniuose maitinimo šaltiniuose, atsinaujinančios energijos šaltiniuose, energijos kaupikliuose, suvirinimo aparatuose, UPS ir indukcinio šildymo įrenginiuose. "Gen 4" serija, kurią galima įsigyti nuo 23 mΩ iki 70 mΩ, pagrįsta unikalia kaskodine konfigūracija, kai didelio našumo SiC JFET yra sujungtas su kaskodiniu optimizuotu Si-MOSFET, kad būtų sukurtas standartinis SiC įtaisas. Ši savybė leidžia lanksčiai projektuoti nekeičiant užtūros pavaros įtampos, lengvai pakeičiant Si IGBT, Si FET, SiC FET arba Si superjungties įtaisus.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 11

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Qg – vartų krūvis

Pd - skaidos galia

Kanalas Mode

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Prekinis pavadinimas
SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 UF4C120070K4S onsemi 1: 12,43 € 384Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF4C120070K4S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF4C120070K4S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Duomenų Lapas	384Prieinamumas	12,43 € 7,89 € 6,63 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	27.5 A	91 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	217 W		SiC FET
SiC MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO247-4 UF4SC120023K4S onsemi 1: 22,66 € 673Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF4SC120023K4S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF4SC120023K4S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO247-4 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Duomenų Lapas	673Prieinamumas	22,66 € 18,71 € Pasiūlymas Pasiūlymas	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	53 A	29 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-4 UF4C120053K4S onsemi 1: 14,16 € 727Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF4C120053K4S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF4C120053K4S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-4 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Duomenų Lapas	727Prieinamumas	14,16 € 8,20 € 7,92 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	34 A	67 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	263 W		SiC FET
SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO26 UF4C120053B7S onsemi 1: 13,72 € 580Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF4C120053B7S „Mouser“ Dalies Nr. 772-UF4C120053B7S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO26 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Duomenų Lapas	580Prieinamumas	Pjaunama Juosta 13,72 € 8,15 € 8,06 € Ritė 7,71 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	34 A	53 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO26 UF4C120070B7S onsemi 1: 11,90 € 513Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF4C120070B7S „Mouser“ Dalies Nr. 772-UF4C120070B7S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO26 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Duomenų Lapas	513Prieinamumas	Pjaunama Juosta 11,90 € 6,83 € Ritė 6,42 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	25.7 A	72 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	183 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO263-7 UF4SC120030B7S onsemi 1: 19,93 € 760Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF4SC120030B7S „Mouser“ Dalies Nr. 772-UF4SC120030B7S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO263-7 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Duomenų Lapas	760Prieinamumas	Pjaunama Juosta 19,93 € 12,96 € 12,23 € 11,99 € Ritė 11,40 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	39 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	341 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO24 UF4C120053K3S onsemi 1: 13,91 € 222Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF4C120053K3S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF4C120053K3S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO24 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Duomenų Lapas	222Prieinamumas	13,91 € 7,89 € 7,75 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	34 A	67 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	263 W		SiC FET
SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO24 UF4C120070K3S onsemi 1: 12,10 € 304Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF4C120070K3S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF4C120070K3S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO24 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Duomenų Lapas	304Prieinamumas	12,10 € 6,76 € 6,46 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	27.5 A	91 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	217 W		SiC FET
SiC MOSFET UF4C120053B7S UF4C120053B7SSR onsemi 1: 14,96 € 200Prieinamumas Specialus užsakymas gamykloje	Gam. dalies Nr. UF4C120053B7SSR „Mouser“ Dalies Nr. 772-UF4C120053B7SSR Specialus užsakymas gamykloje	onsemi	SiC MOSFET UF4C120053B7S Sužinokite Daugiau apie onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Duomenų Lapas	200Prieinamumas	14,96 € 11,40 € 9,49 € Peržiūrėti 8,45 € 7,90 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	34 A	53 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFET UF4C120070B7S UF4C120070B7SSR onsemi 1: 12,43 € 170Prieinamumas Specialus užsakymas gamykloje	Gam. dalies Nr. UF4C120070B7SSR „Mouser“ Dalies Nr. 772-UF4C120070B7SSR Specialus užsakymas gamykloje	onsemi	SiC MOSFET UF4C120070B7S Sužinokite Daugiau apie onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Duomenų Lapas	170Prieinamumas	12,43 € 9,47 € 7,89 € Peržiūrėti 7,03 € 6,60 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	25.7 A	72 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V		- 55 C	+ 175 C	183 W	Enhancement	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO247-4 UF4SC120030K4S onsemi 600: 13,55 € 5 400Gamyklos turimos atsargos	Gam. dalies Nr. UF4SC120030K4S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF4SC120030K4S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO247-4 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets	Duomenų Lapas	5 400Gamyklos turimos atsargos Daugiau Informacijos Suteikiama	13,55 €	Min.: 600 Daugkart.: 600	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	53 A	39 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	341 W	Enhancement	SiC FET

UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FETs

Taikyti filtrai:

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba

Bendrinti Šį

UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FETs

Taikyti filtrai: