MOSFETs for Seat Control

MOSFETs are also for power switching circuits. Unlike bipolar junction transistors (BJTs), the competing type of power transistor, MOSFETs do not require a continuous flow of drive current to remain in the ON state. Additionally, MOSFETs can offer higher switching speeds, lower switching power losses, lower on-resistances, and reduced susceptibility to thermal runaway. In switched-mode power supplies (SMPSs), MOSFETS are often used as the switching elements for regulation as well as for power factor correction (PFC).

Learn More

Rezultatai: 52
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Kvalifikacija Prekinis pavadinimas Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 85 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS 5 Reel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 32A, Single N-Channel Power MOSFET Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 33 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 60 V 7 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 24 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel