BUK7Y1R0-40N & BUK7Y3R1-80M N-Channel MOSFETs

Nexperia BUK7Y1R0-40N and BUK7Y3R1-80M N-Channel MOSFETs are designed and qualified to meet AEC-Q101 requirements, delivering high performance and endurance. These MOSFETs offer fast and efficient switching with optimal damping and low spiking. The BUK7Y1R0-40N and BUK7Y3R1-80M N-channel MOSFETs are encapsulated within LFPAK56 packages. The BUK7Y1R0-40N N-channel MOSFET utilizes the Trench 15 low-ohmic enhanced-Trench Bottom Oxide (e-TBO) technology, while the BUK7Y3R1-80M employs the Trench 14 low-ohmic split-gate technology. These N-channel MOSFETs are EU RoHS-compliant and feature a 175°C maximum junction temperature range. Typical applications include motors, lighting, and solenoid control, 12V automotive systems, and ultra-high-performance power switching.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Nexperia MOSFETs BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
Duomenų Lapas
345Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 320 A 970 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 135 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Nexperia MOSFETs BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK
Duomenų Lapas
1 498Tikėtina 2026-08-03
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 80 V 160 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement