{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija} – Mouser Lietuva

Pereiti prie Pagrindinio Turinio

TTI specialistų komandos dalis Susisiekite su „Mouser“ +370 64003780Susisiekite su mumis

Pakeisti vietovę

+370 64003780 Pakeisti vietovę

Yra sandėlyje

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs

onsemi NXH011F120M3F2 EliteSiC SiC MOSFET Modules is equipped with an 11mΩ/1200V SiC M3S MOSFET full-bridge configuration. The modules integrate a thermistor and an HPS DBC in an F2 package, enabling compact, high-efficiency power-conversion designs. The onsemi NXH011F120M3F2 offers two types of pre-applied thermal interface material and one without pre-applied TIM. The modules also feature press-fit pins and Pb-free, halide-free, and RoHS-compliant construction for power module integration.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 6

Taikyti filtrai:

Kanalų skaičius

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Pd - skaidos galia

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Pasirinkite	Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	RoHS	ECAD modelis	Technologijos	Montavimo stilius	Tranzistoriaus poliškumas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Pakavimas
	MOSFET moduliai 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package NXH015F120M3F1P1TG onsemi 1: 66,00 € 28Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. NXH015F120M3F1P1TG „Mouser“ Dalies Nr. 863-H015F120M3F1P1TG Naujas Produktas	onsemi	MOSFET moduliai 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package Sužinokite Daugiau apie onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Duomenų Lapas	28Prieinamumas	66,00 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 Maks.: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	77 A	19 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	198 W	Tray
	MOSFET moduliai Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package NXH011F120M3F2P1THG onsemi 1: 130,57 € 20Tikėtina 2026-12-14 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. NXH011F120M3F2P1THG „Mouser“ Dalies Nr. 863-011F120M3F2P1THG Naujas Produktas	onsemi	MOSFET moduliai Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package Sužinokite Daugiau apie onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Duomenų Lapas	20Tikėtina 2026-12-14	130,57 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 Maks.: 2			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	105 A	16 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	244 W	Tray
	MOSFET moduliai Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package NXH011T120M3F2P1THG onsemi 1: 114,29 € 20Tikėtina 2026-12-14 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. NXH011T120M3F2P1THG „Mouser“ Dalies Nr. 863-011T120M3F2P1THG Naujas Produktas	onsemi	MOSFET moduliai Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package Sužinokite Daugiau apie onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Duomenų Lapas	20Tikėtina 2026-12-14	114,29 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 Maks.: 2			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	91 A	16 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	272 W	Tray
	MOSFET moduliai EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH006P120M3F1PG onsemi 1: 62,52 € 28Tikėtina 2027-02-16 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. NXH006P120M3F1PG „Mouser“ Dalies Nr. 863-NXH006P120M3F1PG Naujas Produktas	onsemi	MOSFET moduliai EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Sužinokite Daugiau apie onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Duomenų Lapas	28Tikėtina 2027-02-16	62,52 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 Maks.: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	200 A	9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	333 W	Tray
	MOSFET moduliai EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH006P120M3F1PNG onsemi 1: 71,30 € 28Tikėtina 2027-02-16 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. NXH006P120M3F1PNG „Mouser“ Dalies Nr. 863-XH006P120M3F1PNG Naujas Produktas	onsemi	MOSFET moduliai EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Sužinokite Daugiau apie onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Duomenų Lapas	28Tikėtina 2027-02-16	71,30 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 Maks.: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	240 A	9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	500 W	Tray
	MOSFET moduliai EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH008P120M3F1PNG onsemi 1: 69,03 € 28Tikėtina 2027-02-16 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. NXH008P120M3F1PNG „Mouser“ Dalies Nr. 863-XH008P120M3F1PNG Naujas Produktas	onsemi	MOSFET moduliai EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Sužinokite Daugiau apie onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Duomenų Lapas	28Tikėtina 2027-02-16	69,03 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 Maks.: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	145 A	10.9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	382 W	Tray