M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

Rezultatai: 46
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Duomenų Lapas
424Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 5 V, + 18 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
Duomenų Lapas
390Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 163 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
Duomenų Lapas
448Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 19 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
Duomenų Lapas
398Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 32 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
Duomenų Lapas
445Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM
Duomenų Lapas
366Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 5 V, + 18 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET 60MOHM
Duomenų Lapas
214Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
Duomenų Lapas
1 547Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS 60MOHM 900V
Duomenų Lapas
475Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Duomenų Lapas
449Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
Duomenų Lapas
618Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 163 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET 20MOHM 900V
Duomenų Lapas
194Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 503 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Duomenų Lapas
380Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

TO-247-4 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
Duomenų Lapas
454Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Duomenų Lapas
864Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
TO-247-4 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Duomenų Lapas
36Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET 20MOHM 900V
Duomenų Lapas
279Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Duomenų Lapas
444Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

TO-247-4 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 750V
Duomenų Lapas
1 800Gamyklos turimos atsargos
Daugiau Informacijos Suteikiama
Min.: 450
Daugkart.: 450

TO-247-4 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Duomenų Lapas
3 600Gamyklos turimos atsargos
Daugiau Informacijos Suteikiama
Min.: 450
Daugkart.: 450

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 45 Savaičių
Min.: 450
Daugkart.: 450

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 10 V, + 19 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC