1200V PIM 3 Phase Input Rectifiers

Infineon Technologies 1200V PIM 3 Phase Input Rectifiers are EconoPIM™ 2 1200V, 100A three-phase PIM IGBT modules. The rectifiers feature TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with the integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. 

Rezultatai: 7
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Technologijos
Pakavimas
Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 35 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
28Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies Igbt Moduliai LOW POWER ECONO
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 3 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 75 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 3 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 50 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP75R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 75 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 3 Savaičių
Min.: 15
Daugkart.: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP35R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 35 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 15
Daugkart.: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP50R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 50 A PIM IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 15
Daugkart.: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray