MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best RDS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

Rezultatai: 141
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 8 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 950 V, 280 mOhm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 48 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 3.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13.4 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 6 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 3 A 2.9 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 900
Daugkart.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 2 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a IPAK package
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.15 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 600
Daugkart.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube