IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

Rezultatai: 10
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Technologijos Pakavimas
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module 17Prieinamumas
120,82 €
116,53 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module 6Prieinamumas
236,71 €
189,35 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module 29Prieinamumas
150,17 €
148,38 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module 51Prieinamumas
187,41 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module 11Prieinamumas
50Tikėtina 2026-11-03
219,99 €
177,70 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 300 A dual IGBT module 5Prieinamumas
20Pagal užsakymą
107,95 €
101,96 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 2300 V, 1800 A dual IGBT module
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 39 Savaičių
1 114,56 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai PP IHM I
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 39 Savaičių
1 146,55 €
Min.: 3
Daugkart.: 3
Si Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 750 A dual IGBT module Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
160,23 €
Min.: 10
Daugkart.: 10
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 750 A dual IGBT module Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
202,52 €
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray