Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
FF450R12ME7B11BPSA1
Infineon Technologies
1:
120,82 €
17 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF450R12ME7B11BP
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
17 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.5 V
450 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Si
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
FF900R12ME7WB11BPSA1
Infineon Technologies
1:
236,71 €
6 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF900R12ME7WB11B
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
6 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.5 V
890 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Si
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
FF600R12ME7B11BPSA2
Infineon Technologies
1:
150,17 €
29 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF600R12ME7B11B2
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
29 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Si
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
FF900R12ME7PB11BPSA1
Infineon Technologies
1:
187,41 €
51 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF900R12ME7PB11B
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
51 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.5 V
900 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Si
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
FF900R12ME7B11NPSA1
Infineon Technologies
1:
219,99 €
11 Prieinamumas
50 Tikėtina 2026-11-03
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF900R12ME7B11N1
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
11 Prieinamumas
50 Tikėtina 2026-11-03
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.5 V
900 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Si
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 300 A dual IGBT module
FF300R12ME7B11BPSA1
Infineon Technologies
1:
107,95 €
5 Prieinamumas
20 Pagal užsakymą
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF300R12ME7B11BP
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 300 A dual IGBT module
5 Prieinamumas
20 Pagal užsakymą
Peržiūrėti datas
Turime sandėlyje:
5 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
10 Tikėtina 2027-04-08
10 Tikėtina 2027-05-06
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
24 Savaičių
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.5 V
300 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Si
Tray
Igbt Moduliai 2300 V, 1800 A dual IGBT module
FF1800R23IE7BPSA1
Infineon Technologies
1:
1 114,56 €
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 39 Savaičių
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1800R23IE7BPSA
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 2300 V, 1800 A dual IGBT module
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 39 Savaičių
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Si
Tray
Igbt Moduliai PP IHM I
FF1800R23IE7PBPSA1
Infineon Technologies
3:
1 146,55 €
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 39 Savaičių
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1800R23IE7PBPS
Infineon Technologies
Igbt Moduliai PP IHM I
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 39 Savaičių
Pirkti
Min.: 3
Daugkart.: 3
Išsami Informacija
Si
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 750 A dual IGBT module
FF750R12ME7B11BPSA1
Infineon Technologies
10:
160,23 €
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF750R12ME7B11BP
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 750 A dual IGBT module
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Pirkti
Min.: 10
Daugkart.: 10
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.5 V
750 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Si
Tray
Igbt Moduliai 1700 V, 750 A dual IGBT module
FF750R17ME7DB11BPSA1
Infineon Technologies
1:
202,52 €
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF750R17ME7DB11B
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1700 V, 750 A dual IGBT module
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.7 kV
1.7 V
750 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Si
Tray