Visi rezultatai (472)

Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
IXYS SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L 900Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

IXYS SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL 2 090Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

IXYS SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 550Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263 894Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

IXYS SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L 790Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L 890Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L 900Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

IXYS SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L 760Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL 2 095Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL 2 090Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

IXYS SiC MOSFET TO247 1200V N CH 20A 546Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 450

IXYS SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 394Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV 550Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV 550Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IXYS SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 292Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IXYS SiC MOSFET 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L 384Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IXYS SiC MOSFET 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L 438Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IXYS SiC MOSFET 1200V 18mOhm (30A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L 286Prieinamumas
100Tikėtina 2026-08-10
Min.: 1
Daugkart.: 1

IXYS SiC MOSFET 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L 460Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IXYS SiC MOSFET 1200V 36mOhm (43A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L 100Prieinamumas
300Tikėtina 2026-09-29
Min.: 1
Daugkart.: 1

Littelfuse ESD apsaugos diodai / TVS diodai 3kW 64V 5% Bi-Directional 33 159Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Littelfuse SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 12A 100V TO-277B 4 841Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Littelfuse SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 45V 20A Axial 7 961Prieinamumas
12 000Tikėtina 2026-12-31
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Littelfuse SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 20A 50V TO-277B 11 185Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Littelfuse SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 80V 20A 7 239Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000