SRAM for Data Acquisition

Home » Applications & Technologies » Instrumentation » Data Acquisition » SRAM

SRAM for Data Acquisition

SRAM stands for static random-access memory, a kind of memory chip that uses flip-flop type latching circuitry to store by the bit. SRAM can use very little power when sitting idle for long periods, and thus is better suited for certain applications over other types of memory. Learn More

Rezultatai: 488
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis Organizavimas Prieigos laikas Didžiausias taktų dažnis Interface Type Maksimali Maitinimo Įtampa Maitinimo Įtampa - Min. Maitinimo Srovė - Maks. Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Pakavimas

Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 1.7V SERIAL SRAM IND
184Tikėtina 2026-08-31
Min.: 1
Daugkart.: 1

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
ISSI IS61WV204816BLL-10TLI
ISSI SRAM 32Mb High-Speed Async 2Mbx16 10ns
3 840Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

32 Mbit 2 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
1 930Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
1 755Tikėtina 2026-10-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
1 918Tikėtina 2026-10-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-36 Tray
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
471Tikėtina 2026-08-25
Min.: 1
Daugkart.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray

ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
395Tikėtina 2026-08-24
Min.: 1
Daugkart.: 1

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 16M (1Mx16) 25ns Async SRAM
384Tikėtina 2026-10-05
Min.: 1
Daugkart.: 1

16 Mbit 1 M x 16 25 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray

ISSI SRAM 1M (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
963Tikėtina 2026-10-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
551Tikėtina 2027-01-20
Min.: 1
Daugkart.: 1

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
480Tikėtina 2026-08-18
Min.: 1
Daugkart.: 1

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v
144Tikėtina 2026-09-09
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI IS62C5128EL-45TLI
ISSI SRAM 4Mb,Low Power,Async,512K x 8,45ns,5v,32 Pin TSOP II, RoHS
351Tikėtina 2026-08-20
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-32
ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 45MHz Serial SRAM IT
100Tikėtina 2026-08-31
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 128 k x 8 15 ns 45 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tray

ISSI SRAM 16Mb 10ns 1Mbx16 Async SRAM 2.4V-3.6V
1Tikėtina 2026-10-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
956Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
270Tikėtina 2026-11-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44
ISSI SRAM 1Mb (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
213Tikėtina 2026-10-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 11 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 11 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 11 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM Vbat Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 11 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 300

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape

Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 1.7V SERIAL SRAM IND Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 21 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Tube