SRAM for Data Acquisition

Home » Applications & Technologies » Instrumentation » Data Acquisition » SRAM

SRAM for Data Acquisition

SRAM stands for static random-access memory, a kind of memory chip that uses flip-flop type latching circuitry to store by the bit. SRAM can use very little power when sitting idle for long periods, and thus is better suited for certain applications over other types of memory. Learn More

Rezultatai: 487
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Atminties dydis
Organizavimas
Prieigos laikas
Didžiausias taktų dažnis
Interface Type
Maksimali Maitinimo Įtampa
Maitinimo Įtampa - Min.
Maitinimo Srovė - Maks.
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Pakavimas
ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 55ns Async SRAM
Duomenų Lapas
213Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOP-32 Tube

ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 55ns Async SRAM
Duomenų Lapas
186Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 512K 32Kx16 12ns Async SRAM
Duomenų Lapas
115Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

512 kbit 32 k x 16 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,64K x 16,12ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS
Duomenų Lapas
145Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 1Mb 128K x 8 35ns 5v Async SRAM 5v
Duomenų Lapas
442Prieinamumas
1 848Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 128 k x 8 35 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOP-32 Tray
ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns
Duomenų Lapas
1 945Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Duomenų Lapas
55Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray

ISSI SRAM 4M (512Kx8) 25ns Async SRAM
Duomenų Lapas
173Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 512 k x 8 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 18Mb 200MHz, 3.3V or 2.5V 1Mx18 Sync SRA
Duomenų Lapas
7Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

18 Mbit 1 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 36Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Duomenų Lapas
18Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 133 MHz 3.3 V 2.5 V 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS
Duomenų Lapas
19Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165

ISSI SRAM 8M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async SRAM
Duomenų Lapas
78Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 1Mbx8 45ns
Duomenų Lapas
12Prieinamumas
540Tikėtina 2026-08-25
Min.: 1
Daugkart.: 1

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44

ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns
Duomenų Lapas
14Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT

ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns
Duomenų Lapas
17Prieinamumas
1 080Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 4Mb 3.3V 7.5ns 128K x 32 Sync SRAM
Duomenų Lapas
9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

4 Mbit 128 k x 32 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 175 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM
Duomenų Lapas
31Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

8 Mbit 10 ns 3.6 V 2.4 V 140 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 1M (128Kx8) 45ns Async SRAM
Duomenų Lapas
100Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOP-32 Tray
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
157Prieinamumas
2 880Tikėtina 2026-09-11
Min.: 1
Daugkart.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
202Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
Duomenų Lapas
7Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns 104 MHz 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-54
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
149Prieinamumas
2 500Tikėtina 2026-09-07
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 512Kb 64Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial SRAM
Duomenų Lapas
52Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v
Duomenų Lapas
40Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

2 Mbit 64 k x 32 4 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray