GaNEXUS™ GaN FETs

onsemi GaNEXUS™ Gallium Nitride Field-Effect Transistors (GaN FETs) use wide-bandgap material properties of GaN to deliver fast switching, low gate and output charge, and enhanced efficiency compared to silicon power transistors. These features enable higher operating frequencies, increased power density, and reduced magnetics in power conversion applications across low-, medium-, high-, and ultra-high voltages. The enhancement-mode discrete GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) offer a voltage range from 40V to 650V, including 650V GaNEXUS Smart GaN FETs with integrated protections to improve reliability and simplify system integration. Ideal applications for the onsemi GaNEXUS family include industrial automation, robotics, AI data centers, automotive electrification, and energy infrastructure.

Rezultatai: 7
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Technologijos
onsemi GaN FET GaN FET, 700V, 75m, DPAK
Duomenų Lapas
2 440Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 250
: 250

SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 21 A 100 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 105 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET GaN FET, 700V, 75m, 8x8
Duomenų Lapas
2 463Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 246
: 250

SMD/SMT DFN-9 N-Channel 1 Channel 700 V 21 A 100 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET GaN FET, 700V,101m, 8x8
Duomenų Lapas
2 472Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 248
: 250

SMD/SMT DFN-9 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 130 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.65 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET GaN FET, 700V, 132m, 8x8
Duomenų Lapas
2 500Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 250
: 250

SMD/SMT DFN-9 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 170 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET GaN FET, 700V, 132m, DPAK
Duomenų Lapas
2 488Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 249
: 250

SMD/SMT PDSO-E3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 170 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 64 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET GaNEXUS FET, 100V, 2.7m, 3.3x3.3 Dual Cool
Duomenų Lapas
2 500Tikėtina 2026-10-30
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 250
: 2 500

SMD/SMT PTFP-N9 N-Channel 1 Channel 100 V 183 A 2.7 mOhms - 4 V to 6 V 2.1 V 7.3 nC - 40 C + 150 C 250 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET GaNEXUS FET, 100V, 3.8m, 3.3x3.3 Dual Cool
Duomenų Lapas
2 500Tikėtina 2026-11-27
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 250
: 2 500

SMD/SMT PTFP-N9 N-Channel 1 Channel 100 V 146 A 3.8 mOhms - 4 V to 6 V 5.2 nC - 40 C + 150 C 208 W Enhancement GaNEXUS GaN