{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija} – Mouser Lietuva

Pereiti prie Pagrindinio Turinio

TTI specialistų komandos dalis Susisiekite su „Mouser“ +370 64003780Susisiekite su mumis

Pakeisti vietovę

+370 64003780 Pakeisti vietovę

Yra sandėlyje

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC Power MOSFETs

STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC (Silicon Carbide) Power MOSFET features minimal ON-resistance and excellent switching performance, almost independent of temperature, due to the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SCTW70N120G2V also offers a high-speed, robust intrinsic body diode and extremely low gate charge and input capacities. A high-temperature rating of +200°C enables the improved thermal design of power electronics systems.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 5

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Kanalų skaičius

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Kvalifikacija

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Pasirinkite	Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	RoHS	ECAD modelis	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Kvalifikacija
	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 17,22 € 181Prieinamumas 600Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. SCT020W120G3-4AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Duomenų Lapas	181Prieinamumas 600Pagal užsakymą	17,22 € 10,20 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 11,87 € 20Prieinamumas 1 200Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. SCT070W120G3-4AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT070W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Duomenų Lapas	20Prieinamumas 1 200Pagal užsakymą	11,87 € 7,93 € 7,46 € 6,69 € 6,29 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: 12,62 € 599Tikėtina 2026-12-14	Gam. dalies Nr. SCT070HU120G3AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Duomenų Lapas	599Tikėtina 2026-12-14	Pjaunama Juosta 12,62 € 8,66 € 7,63 € Ritė 6,88 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 600			SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package SCT070H120G3AG STMicroelectronics 1: 11,12 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 25 Savaičių	Gam. dalies Nr. SCT070H120G3AG „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT070H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 25 Savaičių	Pjaunama Juosta 11,12 € 8,29 € 6,91 € 6,16 € Ritė 5,75 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000			SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4 STMicroelectronics 1: 10,85 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 36 Savaičių	Gam. dalies Nr. SCT070W120G3-4 „Mouser“ Dalies Nr. 511-SCT070W120G3-4	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Sužinokite Daugiau apie STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 36 Savaičių	10,85 € 8,08 € 6,73 € 6,00 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Through Hole	HiP247-4		1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement