IGOT65R055D2AUMA1

Infineon Technologies
726-IGOT65R055D2AUMA
IGOT65R055D2AUMA1

Gam.:

Aprašymas:
GaN FET HV GAN DISCRETES

Eksploatacijos Laikotarpis:
Naujas Produktas:
Naujiena iš šio gamintojo.
Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IGOT65R055D2AUMA1

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Infineon
Gaminio kategorija: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
66 mOhms
- 10 V
1.6 V
6.6 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
Prekės Ženklas: Infineon Technologies
Configuration: Single
Jautrus drėgmei: Yes
Pakavimas: Reel
Pakavimas: Cut Tape
Gaminys: Power Transistors
Gaminio tipas: GaN FETs
Gamyklinės pakuotės kiekis: 800
Subkategorija: Transistors
Technologijos: GaN
Tipas: GaN Power Transistor
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Indonezija
Šalis, kurioje pagaminta:
Indonezija
Distribucijos šalis:
Austrija
Šalis gali keistis siuntimo metu.

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

CoolGan™ 600V e-Mode Power Transistors

Infineon Technologies CoolGan™ 600V Enhancement Mode (e-Mode) Power Transistors enable simpler half-bridge topologies with fast turn-on and turn-off speeds. The rugged and reliable transistors are available in high-performing SMD packages to fully exploit the benefits of GaN. The transistors feature high efficiency, high power density, higher operating frequency capability, and reduced EMI. Applications include telecom / datacom / server SMPS, wireless charging, chargers, and adapters.

Prieinamumas: 613

Turime sandėlyje:
613 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
6,34 € 6,34 €
4,28 € 42,80 €
3,11 € 311,00 €
2,51 € 1 255,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 800)
2,51 € 2 008,00 €

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.