|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės ISOLATED DUAL CHANNEL MOSFET GATE DRIVER
- NCD57253DWR2G
- onsemi
-
1:
3,95 €
-
1 978Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCD57253DWR2G
|
onsemi
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės ISOLATED DUAL CHANNEL MOSFET GATE DRIVER
|
|
1 978Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
- NTBG022N120M3S
- onsemi
-
1:
17,02 €
-
771Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTBG022N120M3S
|
onsemi
|
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
|
|
771Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITHOUT PINS 12&13
- NCD57540DWKR2G
- onsemi
-
1:
4,09 €
-
951Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCD57540DWKR2G
|
onsemi
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITHOUT PINS 12&13
|
|
951Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
- NCP51561DADWR2G
- onsemi
-
1:
3,25 €
-
540Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCP51561DADWR2G
|
onsemi
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
|
|
540Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
- NXH003P120M3F2PTNG
- onsemi
-
1:
237,40 €
-
50Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-H003P120M3F2PTNG
|
onsemi
|
MOSFET moduliai 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
|
|
50Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
- NCP51563CADWR2G
- onsemi
-
1:
3,50 €
-
1 581Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCP51563CADWR2G
|
onsemi
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
|
|
1 581Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
- NTH4L013N120M3S
- onsemi
-
1:
28,71 €
-
219Prieinamumas
-
450Tikėtina 2028-02-02
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTH4L013N120M3S
|
onsemi
|
SiC MOSFET DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
|
|
219Prieinamumas
450Tikėtina 2028-02-02
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|