{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija} – Mouser Lietuva

Pereiti prie Pagrindinio Turinio

TTI specialistų komandos dalis Susisiekite su „Mouser“ +370 64003780Susisiekite su mumis

Pakeisti vietovę

+370 64003780 Pakeisti vietovę

Yra sandėlyje

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 7

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Pasirinkite	Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	RoHS	ECAD modelis	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Prekinis pavadinimas
	SiC MOSFET SIC_DISCRETE AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies 1: 18,89 € 712Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. AIMW120R045M1XKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-AIMW120R045M1XKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SIC_DISCRETE Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon 1200v automotive coolsic modules	Duomenų Lapas	712Prieinamumas	18,89 € 14,04 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	52 A	59 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.7 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	228 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,57 € 1 701Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW65R027M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	1 701Prieinamumas	12,57 € 7,56 € 7,46 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,95 € 298Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMZA65R048M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	298Prieinamumas	8,95 € 5,15 € 4,77 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 5,20 € 24 945Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMBF170R1K0M1XTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Duomenų Lapas	24 945Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMBF170R1K0M1XTMA1 Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 1 945 Tikėtina 2027-01-07 23 000 TBD Gamintojo numatytas pristatymo laikas 53 Savaičių	Pjaunama Juosta 5,20 € 3,41 € 2,55 € 2,13 € Ritė 1,85 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000			SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 15,94 € 1 660Pagal užsakymą NRND	Gam. dalies Nr. IMZ120R030M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZ120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Duomenų Lapas	1 660Pagal užsakymą	15,94 € 12,14 € 10,12 € 9,01 € 8,42 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,12 € 978Pagal užsakymą NRND	Gam. dalies Nr. IMW120R140M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Duomenų Lapas	978Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMW120R140M1HXKSA1 Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 18 Tikėtina 2026-11-05 480 Tikėtina 2027-10-11 480 TBD Gamintojo numatytas pristatymo laikas 52 Savaičių	7,12 € 4,39 € 4,06 € 3,23 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	3.5 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,53 € Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių NRND	Gam. dalies Nr. IMZA65R072M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R072M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių	7,53 € 4,43 € 3,67 € 3,66 €	Min.: 1 Daugkart.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	28 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC