„PowerTrench“ Technologija

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

Rezultatai: 18
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
onsemi MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
10 500Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 500
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 119 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 21 nC - 55 C + 170 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Duomenų Lapas
4 183Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 111 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 22.1 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Duomenų Lapas
155Prieinamumas
10 280Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 500
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 154 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Duomenų Lapas
113Prieinamumas
16 500Tikėtina 2028-01-05
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 414 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 97.5 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Duomenų Lapas
125Prieinamumas
4 500Tikėtina 2027-06-18
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86.4 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Duomenų Lapas
171Prieinamumas
19 500Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 323 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 72.1 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Duomenų Lapas
122Prieinamumas
43 500Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 39 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi MOSFETs PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL
Duomenų Lapas
1 955Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 142 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 155 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL
Duomenų Lapas
9 293Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si WDFN-8 PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Duomenų Lapas
17Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-10-06
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 233 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Duomenų Lapas
112Prieinamumas
6 000Tikėtina 2027-06-04
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
16 500Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 630
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 181 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 53 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Duomenų Lapas
26Prieinamumas
1 500Tikėtina 2026-08-10
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 15.6 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
Duomenų Lapas
33 473Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 4 000
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 457 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 174 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF
Duomenų Lapas
13 380Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 470
: 1 500

Si SMD/SMT SO8FL-8 N-Channel 1 Channel 80 V 253 A 1.43 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 83 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Duomenų Lapas
5 907Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 350
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 133 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Duomenų Lapas
5 897Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 190
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 45 Savaičių
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 113 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel