|
|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
- SCT3080KLGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
20,57 €
-
1 034Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3080KLGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
|
|
1 034Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
- SCT3030KLGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
70,29 €
-
683Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3030KLGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
|
|
683Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
- SCT3022ALGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
48,31 €
-
198Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3022ALGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
|
|
198Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
- SCT3030ALGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
28,75 €
-
84Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3030ALGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
|
|
84Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
- SCT3060ALGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
14,12 €
-
170Prieinamumas
-
900Tikėtina 2026-10-29
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3060ALGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
|
|
170Prieinamumas
900Tikėtina 2026-10-29
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
- SCT3120ALGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
9,36 €
-
410Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3120ALGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
|
|
410Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
- SCT3080ALGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
11,74 €
-
179Prieinamumas
-
900Tikėtina 2027-04-14
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3080ALGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
|
|
179Prieinamumas
900Tikėtina 2027-04-14
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
- SCT3160KLGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
10,51 €
-
4 950Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3160KLGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
|
|
4 950Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
1 800 Tikėtina 2027-03-10
3 150 Tikėtina 2027-03-24
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
27 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
- SCT2H12NZGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
7,87 €
-
2 220Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT2H12NZGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
|
|
2 220Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
870 Tikėtina 2026-11-12
1 350 Tikėtina 2027-03-16
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
23 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
- SCT3040KLGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
36,11 €
-
446Tikėtina 2027-03-03
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT3040KLGC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
|
|
446Tikėtina 2027-03-03
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Power Management IC Development Tools Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
- BD7682FJ-LB-EVK-402
- ROHM Semiconductor
-
1:
405,83 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BD7682FJLBEVK402
|
ROHM Semiconductor
|
Power Management IC Development Tools Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|