STDRIVEG212 220V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG212 220V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 220V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG212 optimized for driving high-speed GaN.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys Tipas Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Vairuotojų skaičius Išėjimų skaičius Išvesties Srovė Maitinimo Įtampa - Min. Maksimali Maitinimo Įtampa Configuration Kilimo Laikas Rudens laikas Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pakavimas
STMicroelectronics Gate Tvarkyklės High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 702Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Gate Driver Half-Bridge SMD/SMT QFN-18 2 Driver 3 Output 1.8 A 10.3 V 18 V Inverting, Non-Inverting 22 ns 13 ns - 40 C + 125 C Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Gate Tvarkyklės High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 4 900
Daugkart.: 4 900
Tray