TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.

Rezultatai: 11
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Diotec Semiconductor SiC MOSFET 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175 Deg C
Duomenų Lapas
438Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022
Diotec Semiconductor SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
Duomenų Lapas
450Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor SiC MOSFET
Duomenų Lapas
450Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 118 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 373 nC - 55 C + 175 C 715 W Enhancement DIF120SIC028
Diotec Semiconductor SiC MOSFET
Duomenų Lapas
435Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement DIF120SIC053
Diotec Semiconductor SiC MOSFET
Duomenų Lapas
448Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Diotec Semiconductor SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175DegC
Duomenų Lapas
446Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 150 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 4 V 236 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC015
Diotec Semiconductor SiC MOSFET
Duomenų Lapas
450Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 60 A 49 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 128 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC049
Diotec Semiconductor SiC MOSFET
Duomenų Lapas
447Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 36 A 80 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 75 nC - 55 C + 175 C 175 W Enhancement DIW065SIC080
Diotec Semiconductor SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-3L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
Duomenų Lapas
448Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIW120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor SiC MOSFET
Duomenų Lapas
661Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 125 A 23 mOhms - 4 V, + 18 V 2.9 V 121 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Diotec Semiconductor SiC MOSFET
Duomenų Lapas
445Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement