Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

Puslaidininkių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 51
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
4 005Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Duomenų Lapas
86Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 369Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
380Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
480Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI SRAM 16Mb 70ns 2.5v-3.6v 1M x 16 Pseudo SRAM
Duomenų Lapas
514Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Duomenų Lapas
755Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
480Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns
Duomenų Lapas
551Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
310Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM 2M x 16 70ns
Duomenų Lapas
215Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Duomenų Lapas
885Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Duomenų Lapas
656Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Duomenų Lapas
755Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 450Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Duomenų Lapas
1 687Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Duomenų Lapas
867Prieinamumas
800Tikėtina 2026-10-02
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Duomenų Lapas
130Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Duomenų Lapas
134Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Duomenų Lapas
496Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
2 828Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
2 259Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns
Duomenų Lapas
1 930Prieinamumas
2 835Tikėtina 2026-11-02
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Duomenų Lapas
106Prieinamumas
445Tikėtina 2026-10-06
Min.: 1
Daugkart.: 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
202Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1