{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low R_DS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 11

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Pd - skaidos galia

Pakavimas

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Technologijos	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Tranzistoriaus poliškumas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Prekinis pavadinimas	Pakavimas
MOSFETs TO252 900V 2A N-CH MOSFET TK2P90E,RQ Toshiba 1: 1,55 € 4 015Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TK2P90E,RQ „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK2P90ERQ	Toshiba	MOSFETs TO252 900V 2A N-CH MOSFET Sužinokite Daugiau apie Toshiba mosviii mosfets	Duomenų Lapas	4 015Prieinamumas	Pjaunama Juosta 1,55 € 0,81 € 0,628 € 0,494 € Ritė 0,458 € Peržiūrėti 0,458 € 0,431 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	900 V	2 A	5.9 Ohms	30 V	2.5 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	80 W	Enhancement	MOSVIII	Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFETs PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS TK9A90E,S4X Toshiba 1: 2,76 € 3Prieinamumas 550Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. TK9A90E,S4X „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK9A90ES4X	Toshiba	MOSFETs PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS Sužinokite Daugiau apie Toshiba mosviii mosfets	Duomenų Lapas	3Prieinamumas 550Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: TK9A90E,S4X Turime sandėlyje: 3 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 150 Tikėtina 2026-10-23 200 Tikėtina 2026-10-30 200 Tikėtina 2027-01-15 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 16 Savaičių	2,76 € 1,35 € 1,20 € 1,02 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	900 V	9 A	1 Ohms	30 V	4 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	50 W	Enhancement	MOSVIII	Tube
MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ TK3P80E,RQ Toshiba 1: 1,32 € 3 085Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TK3P80E,RQ „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK3P80ERQ	Toshiba	MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ Sužinokite Daugiau apie Toshiba mosviii mosfets	Duomenų Lapas	3 085Prieinamumas	Pjaunama Juosta 1,32 € 0,619 € 0,551 € 0,432 € Ritė 0,414 € Peržiūrėti 0,431 € 0,339 € 0,335 € 0,329 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	3 A	4.9 Ohms	30 V	2.5 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	80 W	Enhancement	MOSVIII	Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFETs PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN TK9J90E,S1E Toshiba 1: 3,37 € 2 396Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TK9J90E,S1E „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK9J90ES1E	Toshiba	MOSFETs PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN Sužinokite Daugiau apie Toshiba mosviii mosfets	Duomenų Lapas	2 396Prieinamumas	3,37 € 1,92 € 1,52 € 1,39 € 1,02 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Si	Through Hole	TO-3P	N-Channel	1 Channel	900 V	9 A	1.3 Ohms	30 V	2.5 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	MOSVIII	Tray
MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS TK10A80E,S4X Toshiba 1: 2,44 € 153Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TK10A80E,S4X „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK10A80ES4X	Toshiba	MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS Sužinokite Daugiau apie Toshiba mosviii mosfets	Duomenų Lapas	153Prieinamumas	2,44 € 1,20 € 1,12 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	800 V	10 A	700 mOhms	30 V	4 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	50 W	Enhancement	MOSVIII	Tube
MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN TK10J80E,S1E Toshiba 1: 3,30 € 4Prieinamumas 125Tikėtina 2026-11-16	Gam. dalies Nr. TK10J80E,S1E „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK10J80ES1E	Toshiba	MOSFETs PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN Sužinokite Daugiau apie Toshiba mosviii mosfets	Duomenų Lapas	4Prieinamumas 125Tikėtina 2026-11-16	3,30 € 1,69 € 1,50 € 1,23 € Peržiūrėti 1,19 € 1,14 € 1,09 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Si	Through Hole	TO-3PN-3	N-Channel	1 Channel	800 V	10 A	700 mOhms	30 V	4 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	MOSVIII	Tray
MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ TK3A90E,S4X Toshiba 1: 1,38 € 250Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TK3A90E,S4X „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK3A90ES4X	Toshiba	MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ Sužinokite Daugiau apie Toshiba mosviii mosfets	Duomenų Lapas	250Prieinamumas	1,38 € 0,654 € 0,653 € 0,511 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	900 V	2.5 A	4.6 Ohms	30 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MOSVIII	Tube
MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ TK4A80E,S4X Toshiba 1: 1,41 € 265Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TK4A80E,S4X „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK4A80ES4X	Toshiba	MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ Sužinokite Daugiau apie Toshiba mosviii mosfets	Duomenų Lapas	265Prieinamumas	1,41 € 0,665 € 0,664 € 0,511 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	4 A	3.5 Ohms	30 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MOSVIII	Tube
MOSFETs PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS TK6A80E,S4X Toshiba 1: 2,03 € 158Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TK6A80E,S4X „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK6A80ES4X	Toshiba	MOSFETs PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS Sužinokite Daugiau apie Toshiba mosviii mosfets	Duomenų Lapas	158Prieinamumas	2,03 € 0,989 € 0,98 € 0,86 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	1.35 Ohms	30 V	4 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MOSVIII	Tube
MOSFETs PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS TK7A90E,S4X Toshiba 1: 1,89 € 170Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TK7A90E,S4X „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK7A90ES4X	Toshiba	MOSFETs PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS Sužinokite Daugiau apie Toshiba mosviii mosfets	Duomenų Lapas	170Prieinamumas	1,89 € 0,92 € 0,912 € 0,787 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	900 V	7 A	1.6 Ohms	30 V	4 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MOSVIII	Tube
MOSFETs PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN TK7J90E,S1E Toshiba 1: 2,87 € 98Prieinamumas	Gam. dalies Nr. TK7J90E,S1E „Mouser“ Dalies Nr. 757-TK7J90ES1E	Toshiba	MOSFETs PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN Sužinokite Daugiau apie Toshiba mosviii mosfets	Duomenų Lapas	98Prieinamumas	2,87 € 1,44 € 1,27 € 1,04 € Peržiūrėti 1,01 € 0,989 € 0,955 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Si	Through Hole	TO-3PN-3	N-Channel	1 Channel	900 V	7 A	1.6 Ohms	30 V	4 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	200 W	Enhancement	MOSVIII	Tray

π-MOS VIII MOSFETs

Taikyti filtrai:

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba