|
|
MOSFETs PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56
- NTMFS7D5N15MC
- onsemi
-
1:
5,25 €
-
2 644Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTMFS7D5N15MC
|
onsemi
|
MOSFETs PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56
|
|
2 644Prieinamumas
|
|
|
5,25 €
|
|
|
3,52 €
|
|
|
2,53 €
|
|
|
2,30 €
|
|
|
2,18 €
|
|
|
2,18 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PQFN-8
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200V 800A QDUAL3
- NXH800H120L7QDSG
- onsemi
-
1:
207,88 €
-
60Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NXH800H120L7QDSG
|
onsemi
|
Igbt Moduliai 1200V 800A QDUAL3
|
|
60Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
PIM-11
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
- NXH004P120M3F2PNG
- onsemi
-
1:
203,83 €
-
20Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-XH004P120M3F2PNG
|
onsemi
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
PIM-36
|
|
|
|
IGBT 1200V 100A FS7 IGBT TP247-4L
- FGY4L100T120SWD
- onsemi
-
1:
10,15 €
-
36Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-FGY4L100T120SWD
|
onsemi
|
IGBT 1200V 100A FS7 IGBT TP247-4L
|
|
36Prieinamumas
|
|
|
10,15 €
|
|
|
6,09 €
|
|
|
5,62 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
IGBT 1200V 75A FS7 IGBT TP247-4L
- FGY4L75T120SWD
- onsemi
-
1:
8,96 €
-
44Prieinamumas
-
"Mouser Naujiena"
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-FGY4L75T120SWD
"Mouser Naujiena"
|
onsemi
|
IGBT 1200V 75A FS7 IGBT TP247-4L
|
|
44Prieinamumas
|
|
|
8,96 €
|
|
|
5,32 €
|
|
|
4,81 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
- NXH003P120M3F2PTHG
- onsemi
-
1:
217,52 €
-
1Prieinamumas
-
40Tikėtina 2026-10-12
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-H003P120M3F2PTHG
|
onsemi
|
MOSFET moduliai 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
|
|
1Prieinamumas
40Tikėtina 2026-10-12
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
PIM-36
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
- NXH004P120M3F2PTHG
- onsemi
-
1:
162,20 €
-
1Prieinamumas
-
40Tikėtina 2026-08-18
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-H004P120M3F2PTHG
|
onsemi
|
MOSFET moduliai 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
|
|
1Prieinamumas
40Tikėtina 2026-08-18
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
PIM-36
|
|
|
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3
- NTHL022N120M3S
- onsemi
-
1:
16,77 €
-
110Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTHL022N120M3S
|
onsemi
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3
|
|
110Prieinamumas
|
|
|
16,77 €
|
|
|
12,48 €
|
|
|
10,75 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC TO263 SBD 20A 1 200V
- FFSB20120A
- onsemi
-
1:
8,47 €
-
1 130Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-FFSB20120A
|
onsemi
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC TO263 SBD 20A 1 200V
|
|
1 130Prieinamumas
|
|
|
8,47 €
|
|
|
5,81 €
|
|
|
4,29 €
|
|
|
4,01 €
|
|
|
4,01 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3
|
|
|
|
IGBT FS4 T TO247 50A 650V 4L
- FGH4L50T65SQD
- onsemi
-
1:
3,87 €
-
1 128Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-FGH4L50T65SQD
|
onsemi
|
IGBT FS4 T TO247 50A 650V 4L
|
|
1 128Prieinamumas
|
|
|
3,87 €
|
|
|
2,67 €
|
|
|
2,31 €
|
|
|
2,27 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
MOSFETs 100V MVSOA IN D2PAK-7L PACKAGE
onsemi NTBGS004N10G
- NTBGS004N10G
- onsemi
-
1:
6,69 €
-
575Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTBGS004N10G
|
onsemi
|
MOSFETs 100V MVSOA IN D2PAK-7L PACKAGE
|
|
575Prieinamumas
|
|
|
6,69 €
|
|
|
4,53 €
|
|
|
3,30 €
|
|
|
3,16 €
|
|
|
3,16 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai 650V 6A SIC SBD GEN1.5
- FFSB0665B
- onsemi
-
1:
2,55 €
-
708Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-FFSB0665B
|
onsemi
|
SiC SCHOTTKY diodai 650V 6A SIC SBD GEN1.5
|
|
708Prieinamumas
|
|
|
2,55 €
|
|
|
1,65 €
|
|
|
1,13 €
|
|
|
0,92 €
|
|
|
0,855 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,826 €
|
|
|
0,799 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
SMD/SMT
|
D2PAK-2
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V 20A AUTO SIC SBD
- FFSB20120A-F085
- onsemi
-
1:
12,42 €
-
80Prieinamumas
-
800Tikėtina 2026-08-07
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-FFSB20120A-F085
|
onsemi
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V 20A AUTO SIC SBD
|
|
80Prieinamumas
800Tikėtina 2026-08-07
|
|
|
12,42 €
|
|
|
9,25 €
|
|
|
7,65 €
|
|
|
7,24 €
|
|
|
7,24 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
SMD/SMT
|
D2PAK-2
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V 10A SIC SBD
- FFSH10120A
- onsemi
-
1:
7,81 €
-
309Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-FFSH10120A
|
onsemi
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V 10A SIC SBD
|
|
309Prieinamumas
|
|
|
7,81 €
|
|
|
4,56 €
|
|
|
3,84 €
|
|
|
3,60 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-247-2
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODE TO220 650V
- FFSP0665B
- onsemi
-
1:
2,66 €
-
693Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-FFSP0665B
|
onsemi
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODE TO220 650V
|
|
693Prieinamumas
|
|
|
2,66 €
|
|
|
1,32 €
|
|
|
1,18 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 100
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-220-2
|
|
|
|
MOSFET moduliai 30KW Q1BOOST FULL SIC
- NXH40B120MNQ1SNG
- onsemi
-
1:
98,48 €
-
6Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NXH40B120MNQ1SNG
|
onsemi
|
MOSFET moduliai 30KW Q1BOOST FULL SIC
|
|
6Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
|
|
|
|
|
IGBT 650V 50A FS4 HYBRID IGBT
- FGH4L50T65MQDC50
- onsemi
-
1:
8,31 €
-
182Prieinamumas
-
Specialus užsakymas gamykloje
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-FGH4L50T65MQDC50
Specialus užsakymas gamykloje
|
onsemi
|
IGBT 650V 50A FS4 HYBRID IGBT
|
|
182Prieinamumas
|
|
|
8,31 €
|
|
|
6,01 €
|
|
|
5,13 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
5,05 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4LD
|
|
|
|
IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
- FGHL50T65LQDT
- onsemi
-
1:
4,14 €
-
446Prieinamumas
-
Specialus užsakymas gamykloje
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-FGHL50T65LQDT
Specialus užsakymas gamykloje
|
onsemi
|
IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
|
|
446Prieinamumas
|
|
|
4,14 €
|
|
|
2,71 €
|
|
|
2,02 €
|
|
|
1,51 €
|
|
|
1,47 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
- FGHL50T65LQDTL4
- onsemi
-
1:
4,36 €
-
450Prieinamumas
-
Specialus užsakymas gamykloje
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-FGHL50T65LQDTL4
Specialus užsakymas gamykloje
|
onsemi
|
IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
|
|
450Prieinamumas
|
|
|
4,36 €
|
|
|
2,86 €
|
|
|
2,13 €
|
|
|
1,59 €
|
|
|
1,55 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
- NTBLS0D8N08XTXG
- onsemi
-
1:
7,11 €
-
33 473Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTBLS0D8N08XTXG
|
onsemi
|
MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
|
|
33 473Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
1 473 Tikėtina 2026-10-06
16 000 Tikėtina 2026-12-04
16 000 Tikėtina 2027-02-19
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
27 Savaičių
|
|
|
7,11 €
|
|
|
4,83 €
|
|
|
3,57 €
|
|
|
3,46 €
|
|
|
3,23 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 6 000
:
2 000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF
- NTMFWS1D5N08XT1G
- onsemi
-
1:
3,59 €
-
13 380Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTMFWS1D5N08XT1G
|
onsemi
|
MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF
|
|
13 380Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
5 880 Tikėtina 2026-08-21
6 000 Tikėtina 2027-01-01
1 500 Tikėtina 2027-01-13
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
27 Savaičių
|
|
|
3,59 €
|
|
|
2,36 €
|
|
|
1,69 €
|
|
|
1,45 €
|
|
|
1,45 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 500
:
1 500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SO8FL-8
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V 40A AUTO SIC SBD
- FFSH40120ADN-F085
- onsemi
-
1:
20,09 €
-
308Tikėtina 2026-08-14
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-FFSH40120ADNF085
|
onsemi
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V 40A AUTO SIC SBD
|
|
308Tikėtina 2026-08-14
|
|
|
20,09 €
|
|
|
14,47 €
|
|
|
12,46 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC JBS 1700V 25A
- NDSH25170A
- onsemi
-
1:
16,29 €
-
898Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NDSH25170A
|
onsemi
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC JBS 1700V 25A
|
|
898Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
448 Tikėtina 2026-11-27
450 Tikėtina 2027-02-26
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
30 Savaičių
|
|
|
16,29 €
|
|
|
11,46 €
|
|
|
9,39 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-247-2
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V SiC SBD 40A
- FFSH40120ADN-F155
- onsemi
-
1:
18,43 €
-
26 550Gamyklos turimos atsargos
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-FFSH40120ADNF155
|
onsemi
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V SiC SBD 40A
|
|
26 550Gamyklos turimos atsargos
|
|
|
18,43 €
|
|
|
11,58 €
|
|
|
11,15 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
- NXH004P120M3F2PTNG
- onsemi
-
1:
184,60 €
-
11 160Gamyklos turimos atsargos
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-H004P120M3F2PTNG
|
onsemi
|
MOSFET moduliai 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
|
|
11 160Gamyklos turimos atsargos
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
|
|
|
Lietuva
