CoolSiC™ 1400V SiC G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1400V Silicon Carbide (SiC) G2 MOSFETs are offered in a TO-247PLUS-4 reflow package. These Infineon MOSFETs are ideal for high-output power applications such as Electric Vehicle (EV) charging, Battery Energy Storage Systems (BESS), Commercial / Construction / Agricultural Vehicles (CAV), and more. The CoolSiC™ MOSFET G2 1400V technology is a cutting-edge technology offering improved thermal performance, increased power density, and enhanced reliability. The package features reflow capability (3x reflow soldering possible), enabling lower thermal resistance.

Rezultatai: 11
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Duomenų Lapas
152Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Duomenų Lapas
358Prieinamumas
480Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Duomenų Lapas
126Prieinamumas
240Tikėtina 2027-06-17
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Duomenų Lapas
102Prieinamumas
240Tikėtina 2026-07-29
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Duomenų Lapas
575Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
Duomenų Lapas
200Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
Duomenų Lapas
224Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Duomenų Lapas
189Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
Duomenų Lapas
230Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
Duomenų Lapas
220Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
Duomenų Lapas
240Tikėtina 2026-07-31
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 240

Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC