NSF0x0120 N kanalo SiC MOSFET

Nexperia NSF0x0120 N-Channel SiC MOSFETs offer superior RDS(on) temperature stability in a 7-pin TO-263 or 22-pin QDPAK plastic package for surface-mounting PCB technology. The NSF0x0120 is based on a 1200V power MOSFET with a fast switching speed. These combined features make the Nexperia NSF0x0120 MOSFETs ideal for high-power and high-voltage industrial applications, including E-vehicle charging infrastructure, DC-DC converters, photovoltaic inverters, auxiliary drives, and motor drives.

Rezultatai: 25
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Nexperia SiC MOSFET NSF060120T1A0/SOT8114/QDPAK
Duomenų Lapas
59Prieinamumas
216Tikėtina 2026-08-31
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT QDPAK-22 1 Channel 1.2 kV 33 A 90 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 152 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF030120T1A0/SOT8114/QDPAK
Duomenų Lapas
210Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT QDPAK-22 1 Channel 1.2 kV 68 A 45 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 108 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF040120T1A1/SOT8114/QDPAK
Duomenų Lapas
210Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT QDPAK-22 1 Channel 1.2 kV 50 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 78 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
Duomenų Lapas
477Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 38 A 90 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK
Duomenų Lapas
785Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 1 Channel 1.2 kV 68 A 45 mOhms 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Duomenų Lapas
599Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 67 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Duomenų Lapas
715Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 65 A 40 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 95 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
Duomenų Lapas
730Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 1 Channel 1.2 kV 122 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 190 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
Duomenų Lapas
660Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 69 A 45 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
Duomenų Lapas
795Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 54 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
Duomenų Lapas
795Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 54 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF040120T2A1/SOT8107/X.PAK
Duomenų Lapas
750Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 1 Channel 1.2 kV 55 A 60 mOhms 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF060120T2A0/SOT8107/X.PAK
Duomenų Lapas
800Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 1 Channel 1.2 kV 36 A 90 mOhms 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF060120L3A0/SOT429-2/TO247-3
Duomenų Lapas
429Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 30

Nexperia SiC MOSFET NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3
Duomenų Lapas
440Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 30

Nexperia SiC MOSFET NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Duomenų Lapas
435Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Nexperia SiC MOSFET NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Duomenų Lapas
795Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 38 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Duomenų Lapas
450Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 30

Nexperia SiC MOSFET NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Duomenų Lapas
790Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 33 A 80 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 52 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF017120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
Duomenų Lapas
105Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Nexperia SiC MOSFET NSF030120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
Duomenų Lapas
99Prieinamumas
9Tikėtina 2026-11-19
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Nexperia SiC MOSFET NSF040120T1A1-Q/SOT8114/QDPAK
Duomenų Lapas
105Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Nexperia SiC MOSFET NSF060120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
Duomenų Lapas
105Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Nexperia SiC MOSFET NSF080120T1A1/SOT8114/QDPAK
Duomenų Lapas
82Prieinamumas
34Tikėtina 2026-12-17
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Nexperia SiC MOSFET NSF080120T1A1-Q/SOT8114/QDPAK
Duomenų Lapas
150Tikėtina 2026-09-04
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800